美光認(rèn)為，DRAM產(chǎn)業(yè)面臨三大挑戰(zhàn)：第一，Wafer Gb當(dāng)量顯著增長的挑戰(zhàn)；第二，技術(shù)轉(zhuǎn)換節(jié)點(diǎn)所出現(xiàn)的成本與最終的收益挑戰(zhàn)；第三，資本支出的強(qiáng)度持續(xù)增加。
在DRAM方面，美光將持續(xù)推進(jìn)1Znm DRAM技術(shù)，將基于該先進(jìn)技術(shù)推出16Gb LPDDR4。在1Znm技術(shù)之后，向下發(fā)展還有1α、1β、1γ，在從1Znm到1γ技術(shù)的過程中，美光將持續(xù)評估EUV工藝DRAM的成本效益，在合適的時候用上EUV。
值得注意的是，美光在2018年認(rèn)為至少在1α及1β工藝之前不會用到EUV，但為何在2019年會評估EUV的使用呢？業(yè)內(nèi)人士猜測，可能主要是因?yàn)?019年DRAM價格大跌，使得產(chǎn)品利潤受到擠壓，再加上NAND Flash需求和價格也都在下滑，美光需要提高產(chǎn)量和性能，來降低成本。
在NAND方面，美光3D技術(shù)已經(jīng)歷了三代，目前是第三代96層3D NAND，下一代將向128層3D NAND發(fā)展，是64+64層的結(jié)構(gòu)。為了使NAND Flash在性能、容量、尺寸等方面持續(xù)發(fā)揮其優(yōu)勢，美光在128層3D NAND技術(shù)將從Floating Gate浮柵向柵極技術(shù)(Replacement Gate)過渡，并繼續(xù)使用陣列下的CMOS架構(gòu)。
美光表示，NAND Flash技術(shù)從2D向3D發(fā)展，驅(qū)動Wafer GB量大幅度增加，64層3D NAND技術(shù)之后，也就是下一代128層3D NAND技術(shù)，主要聚焦在RG（(Replacement Gate)）技術(shù)的過渡，NAND Flash容量增加和成本降低的速度放緩。
美光認(rèn)為，在云、企業(yè)、游戲、IOT、汽車、移動、PC等市場，客戶對產(chǎn)品要求高帶寬、高性能、低功耗 ，這是持續(xù)對企業(yè)技術(shù)、產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。
