2023年11月，SK海力士在其12層堆疊（12-Hi）的HBM3e存儲(chǔ)芯片基礎(chǔ)上增加了4層，使容量從36GB提升至48GB，并計(jì)劃在今年提供該16層堆疊（16-Hi）產(chǎn)品的樣品。

更高速的HBM4標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)也將在2024年推出，其堆疊帶寬約為1.5TBps，相比之下，HBM3e的帶寬僅超過(guò)1.2TBps。

三星公布的截至2023年12月31日的季度初步財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，營(yíng)收約514億美元，同比增長(zhǎng)10.7%，但低于分析師預(yù)期。此外，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)約45億美元，低于市場(chǎng)預(yù)期的61億美元，且較上一季度下降30%。

三星方面表示，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)在第四季度的營(yíng)收創(chuàng)下新高，主要得益于高密度存儲(chǔ)產(chǎn)品的強(qiáng)勁銷(xiāo)售。然而，由于研發(fā)投入的增加以及先進(jìn)技術(shù)擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)的初始成本，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)出現(xiàn)下降。

三星晶圓代工業(yè)務(wù)的挑戰(zhàn)，包括：失去關(guān)鍵客戶(hù)在先進(jìn)工藝上的訂單、部分產(chǎn)品逐漸進(jìn)入生命周期尾端、成熟制程市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢。

生產(chǎn)HBM芯片比傳統(tǒng)DRAM更具盈利能力。一旦英偉達(dá)認(rèn)證某家廠商的HBM產(chǎn)品，該產(chǎn)品的銷(xiāo)量便會(huì)迅速增長(zhǎng)。然而，三星在讓其最新的HBM芯片獲得英偉達(dá)認(rèn)證方面，落后于SK海力士和美光。

由于存儲(chǔ)芯片銷(xiāo)售放緩，三星在2023年11月更換了其半導(dǎo)體部門(mén)的領(lǐng)導(dǎo)層，這是當(dāng)年第二次高層調(diào)整。

在此之前的一個(gè)月，三星已經(jīng)承認(rèn)公司正處于危機(jī)之中，市場(chǎng)對(duì)其技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力表示擔(dān)憂(yōu)。

中國(guó)本土DRAM供應(yīng)商的崛起。手機(jī)存儲(chǔ)芯片的需求相對(duì)疲軟，而中國(guó)本土的DRAM供應(yīng)商正在占據(jù)越來(lái)越大的市場(chǎng)份額。

英偉達(dá)CEO對(duì)三星的樂(lè)觀態(tài)度。據(jù)路透社報(bào)道，在CES（國(guó)際消費(fèi)電子展）上，英偉達(dá)CEO黃仁勛向記者表示，三星正在研發(fā)一款新的HBM芯片設(shè)計(jì)，并且他對(duì)三星在該項(xiàng)目的成功充滿(mǎn)信心。

zhupb