三星電子8月27日宣布，已開始正式量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款基于3DTSV(throughsiliconvia,硅通孔)封裝技術(shù)的 64GB DDR4R DIMM內(nèi)存。該款高密度高性能的內(nèi)存模塊不僅能推動企業(yè)級服務(wù)器和云計算環(huán)境下應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，也會在數(shù)據(jù)中心解決方案的進一步多樣化上起到關(guān)鍵性作用。

服務(wù)器用TSV 64GB DDR4 DRAM內(nèi)存_1

新推出的RDIMM內(nèi)存由36個DDR4DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級制程技術(shù)和3DTSV封裝技術(shù)。

服務(wù)器用TSV 64GB DDR4 DRAM內(nèi)存_2

三星電子存儲芯片事業(yè)部內(nèi)存市場營銷負(fù)責(zé)人白智淏副總裁表示：“通過推出采用3DTSV技術(shù)的尖端解決方案，三星力求加強在DRAM市場的競爭優(yōu)勢，并進而推動全球DRAM市場的增長。預(yù)計今年下半年下一代CPU即將問世，而DDR4市場規(guī)模也有望隨之顯著擴大。此次推出的采用3DTSV封裝技術(shù)的高效節(jié)能型DDR4內(nèi)存模塊，正是三星領(lǐng)先主流DDR4市場的又一新作。”

服務(wù)器用TSV 64GB DDR4 DRAM內(nèi)存

繼去年首次量產(chǎn)3DV-NAND閃存之后，三星此次量產(chǎn)3DTSV內(nèi)存模塊標(biāo)志著存儲技術(shù)史上的一個新的里程碑。如果說3DV-NAND技術(shù)實現(xiàn)了單顆裸片上各個存儲單元如高樓般的垂直堆疊結(jié)構(gòu)，那么創(chuàng)新性的3DTSV封裝技術(shù)則實現(xiàn)了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。通過此次推出全新的TSV內(nèi)存模塊，三星更加穩(wěn)固了其在“3D內(nèi)存時代”的科技領(lǐng)先地位。

基于TSV的4層堆棧

為了成功制造一個3DTSVDDR4DRAM封裝，需要將DDR4裸片研磨至厚度僅為數(shù)十微米，并打出數(shù)百個通孔。有源電路直接穿過這些通孔，而裸片之間則通過有源電路實現(xiàn)垂直互連。因此，與引線鍵合封裝技術(shù)相比，采用TSV封裝技術(shù)的64GB內(nèi)存模塊速度最高提升一倍，而能耗也降低約一半。

引線鍵合和3D TSV封裝技術(shù)比較

今后，三星有望采用3DTSV技術(shù)將DDR4裸片堆疊4層以上，制造出密度更高的內(nèi)存模塊。鑒于服務(wù)器市場正加速從DDR3向DDR4過渡，預(yù)計此舉將加快高端內(nèi)存市場的擴大。

自2010年和2011年分別成功研發(fā)出基于3DTSV技術(shù)的40納米級8GBDRAMRDIMM和30納米級32GBDRAMRDIMM以來，三星一直在不斷改善3DTSV技術(shù)。今年，三星專為TSV封裝開始運行了一套新的制造系統(tǒng)，用來量產(chǎn)新型服務(wù)器用內(nèi)存模塊。

據(jù)Gartner的研究報告，全球DRAM市場規(guī)模預(yù)計將于年內(nèi)在金額上達(dá)到386億美元，在容量上達(dá)到298億Gb。其中服務(wù)器市場將約有67億Gb，約占今年整個DRAM生產(chǎn)規(guī)模的20%以上。