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相比于固態(tài)硬盤 DDR4吞吐量可高出1000倍

比特網(wǎng) 發(fā)表于:14年08月07日 00:52 [綜述] DOIT.com.cn

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[導讀]DRAM內(nèi)存有一明顯缺點就是斷電后會丟失全部數(shù)據(jù),但也有一種特殊的非易失性NVDIMM,通過電池或超級電容在斷電后維持運行、轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)。目前,DDR4上也終于出現(xiàn)了NVDIMM,來自SMART Modular。

DRAM內(nèi)存有一明顯缺點就是斷電后會丟失全部數(shù)據(jù),但也有一種特殊的非易失性NVDIMM,通過電池或超級電容在斷電后維持運行、轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)。目前,DDR4上也終于出現(xiàn)了NVDIMM,來自SMART Modular。相比于固態(tài)硬盤,DDR4 NVDIMM的持續(xù)數(shù)據(jù)訪問吞吐量可高出1000倍,而延遲只有1/1000,并且運行于硬件層面,沒有軟件制約。

該產(chǎn)品在標準DDR4-2133內(nèi)存條的基礎(chǔ)上,增加了必要的軟硬件,特別是有其獨家技術(shù)SafeStor,結(jié)合多通道NAND閃存、切換電路、混合超級電容模塊,可即時檢測運行情況,進行穩(wěn)健的備份和恢復,還支持端到端的ECC錯誤校驗。

JEDEC、SNIA(全球網(wǎng)絡存儲工業(yè)協(xié)會)等標準組織和Intel、Supermicro等廠商都在積極推進NVDIMM。

另外,Netlist今天也發(fā)布了號稱業(yè)內(nèi)性能最強的NVDIMM,基于傳統(tǒng)DDR3 RDIMM,頻率1600MHz,容量4/8GB。

[責任編輯:孫瑩瑩]
淅西
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