佚名 發(fā)表于:14年08月11日 11:26 [轉(zhuǎn)載] 賽迪網(wǎng)
還有不到一個(gè)月的時(shí)間,Intel的新旗艦處理器Haswell-E就要和我們正式見(jiàn)面了,它將在桌面平臺(tái)上首次提供對(duì)DDR4內(nèi)存的支持。而隨著Haswell-E發(fā)布日期的臨近,一大波DDR4內(nèi)存開(kāi)始出現(xiàn)在市場(chǎng)上。
今天,威剛正式發(fā)布了旗下的首款DDR4超頻內(nèi)存XPG Z1,頻率2800MHz,默認(rèn)時(shí)序17-17-17,帶寬可達(dá)22GB/s,電壓僅為1.2V。作為對(duì)比,DDR3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)電壓為1.5V,低壓版為1.35V,DDR4內(nèi)存的默認(rèn)電壓比低壓版DDR3還要低。
做工用料方面,XPG Z1號(hào)稱采用了10層PCB和2盎司銅設(shè)計(jì),散熱鰭片用的是碳纖維,支持XPG系列的內(nèi)存顆粒直觸技術(shù),能夠提高散熱效率。
盡管DDR4-2800MHz已經(jīng)不低了,但目前市面上DDR3-3000MHz內(nèi)存也并不少見(jiàn),DDR4想要超越DDR3還有一段路要走。
公司簡(jiǎn)介 | 媒體優(yōu)勢(shì) | 廣告服務(wù) | 客戶寄語(yǔ) | DOIT歷程 | 誠(chéng)聘英才 | 聯(lián)系我們 | 會(huì)員注冊(cè) | 訂閱中心
Copyright © 2013 DOIT Media, All rights Reserved. 北京楚科信息技術(shù)有限公司 版權(quán)所有.