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共 9 篇文章

標(biāo)簽:DDR4

CXL殺手級場景出現(xiàn),Marvell方案讓企業(yè)利用即將淘汰的DDR4內(nèi)存,單臺服務(wù)器可節(jié)省數(shù)千美元-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

CXL殺手級場景出現(xiàn),Marvell方案讓企業(yè)利用即將淘汰的DDR4內(nèi)存,單臺服務(wù)器可節(jié)省數(shù)千美元

近日,Marvell發(fā)布了全新的Structera CXL 2.0內(nèi)存擴(kuò)展和加速產(chǎn)品,它可以提升內(nèi)存利用效率,專為大內(nèi)存應(yīng)用和云計算環(huán)境中的內(nèi)存密集型工作負(fù)載而設(shè)計。 Structera CXL 2.0支持利用舊的DDR4內(nèi)存,即使未來系統(tǒng)...

朱 朋博朱 朋博云計算
DDR5降價了,那現(xiàn)在就可以無腦沖了嗎?-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

DDR5降價了,那現(xiàn)在就可以無腦沖了嗎?

掐指一算,DDR4大概已經(jīng)用了十年了,2022年,隨著英特爾十二代酷睿處理器的大面積上市,DDR5的時代才算剛剛開始。 說起內(nèi)存,容量肯定是最重要的,此外,內(nèi)存頻率也很重要,DDR4以2133MHz起步,近幾年以3200MHz最常用。 與D...

朱 朋博朱 朋博先進(jìn)存力
不被海外巨頭牽鼻子,朗科DDR4臺式機(jī)內(nèi)存評測:國產(chǎn)開始雄起-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

不被海外巨頭牽鼻子,朗科DDR4臺式機(jī)內(nèi)存評測:國產(chǎn)開始雄起

說起內(nèi)存條,我們腦海里會自然的想到金士頓、威剛、海盜船等國際大牌,其實在國內(nèi)同樣存在一些有實力的本土存儲企業(yè),只不過在消費級領(lǐng)域中并沒有上述品牌那般知名,其中最具代表的便是深圳著名移動存儲品牌朗科。 要知道界第一款閃存盤發(fā)明者便是朗科,同時...

張 妮娜張 妮娜業(yè)界動態(tài)
以滿足用戶需求為導(dǎo)向 朗科強(qiáng)化內(nèi)存行業(yè)產(chǎn)品-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

以滿足用戶需求為導(dǎo)向 朗科強(qiáng)化內(nèi)存行業(yè)產(chǎn)品

2021年開年,朗科科技宣布全面加強(qiáng)內(nèi)存行業(yè)產(chǎn)品。包括面向消費級的越影和超光系列,還有助力內(nèi)存國產(chǎn)內(nèi)存條的朗系列內(nèi)存,上市時間為2021年第一季度;此外,朗科還將在2021年中旬陸續(xù)發(fā)布大容量、高頻率的RGB燈條和旗艦級內(nèi)存以完整產(chǎn)品線布局...

張 妮娜張 妮娜業(yè)界動態(tài)

DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性公開:電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性,并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,相比于DDR3取得重大性能提升,同時繼續(xù)降低功耗。 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣稱,DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性,可帶來更快的...

范 喆范 喆智能算力

微軟計劃在技術(shù)中心展示三星DDR4芯片

4月26日,據(jù)國外媒體報道,日前,三星電子的一款產(chǎn)品進(jìn)入其合作伙伴微軟公司位于Munich的技術(shù)中心,在這里,其最新的DDR4芯片將面向微軟消費者進(jìn)行展示。如果此次展示取得成功,那么該產(chǎn)品將在微軟全球25個技術(shù)中心進(jìn)行展示,包括位于Read...

youjiayoujia智能算力

提速2400MHz 海力士第二家宣布DDR4內(nèi)存

三星電子搶先行動整整三個月之后,另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。 海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒,以及容量2GB的DDR...

liukailiukai智能算力

三星發(fā)布全球首款DDR4 速度提高一倍

據(jù)Serverwatch報道,三星電子已經(jīng)開發(fā)處理一款新的計算機(jī)內(nèi)存模組:DDR4。該模組已經(jīng)升級到30納米制程級別。該模組讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。 三星推出的這款DDR4內(nèi)存的默認(rèn)工作頻率是2133MHz,而憑借全新的電路架...

樣品展示 三星完成史上第一條DDR4內(nèi)存-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

樣品展示 三星完成史上第一條DDR4內(nèi)存

三星電子今天宣布,已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā),并采用30nm級工藝制造了首批樣品。 時至今日,DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型,容量為2GB,運行電壓只有1.2V,工作頻率為2...

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