據(jù)外國網(wǎng)站12月30日報道，三星公司宣布將推出首款1GB低功耗DDR4內(nèi)存芯片，這表示即將推出的Galaxy S5手機將會擁有4GB RAM。

更多的RAM空間能夠幫助手機更高速的運轉(zhuǎn)應(yīng)用程序，支持更高清的顯示器以及延長手機電池的壽命。盡管新品采用的硅材料比以往的芯片節(jié)能40%到60%，但要向更高的頻寬轉(zhuǎn)變，DDR(雙倍速率SD RAM)的標準也必須在DDR3芯片的基礎(chǔ)上再提升50%。

三星表示，在2014年公司將會推出更多適用于新型RAM的產(chǎn)品；而對于產(chǎn)品的受眾群，三星方面也是目標明確。由于內(nèi)存擁有承載高像素這一至關(guān)重要的作用，因此這項科技將會應(yīng)用于擁有超高清顯示器的筆記本電腦、智能手機以及平板電腦當中。

在2014年2月的全球移動通訊大會上，我們或許可以看到首次搭載新型芯片的Galaxy S5。