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幾個(gè)月前內(nèi)存制造商就已經(jīng)展示了DDR4的內(nèi)存，今天DDR3的繼任者終于定稿了，根據(jù)JEDEC機(jī)構(gòu)提供的214頁的DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，規(guī)格簡介如下：

DDR4內(nèi)存每針的數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到每秒1.6G，在原型中傳輸?shù)淖畲笏俾蕿?.2G，鑒于目前DDR3的傳輸性能已經(jīng)達(dá)到了1.6GT/s，未來在 DDR4的升級過程中將會(huì)進(jìn)一步提升傳輸速度。其他的DDR4還將傳輸速度，而且能偶通過應(yīng)用對內(nèi)存進(jìn)行設(shè)置。包括一個(gè)在DQ串行總線上的偽漏極開路接口，每個(gè)DQ的都附帶geardown模式能夠達(dá)到2,667 MT/s或以上，并采用了新的存儲(chǔ)架構(gòu)，內(nèi)部整合VrefDQ并包括改善過的training模式。

內(nèi)存功耗發(fā)展趨勢

DDR4內(nèi)存功耗相比DDR3降低40%。

采用超低電壓設(shè)計(jì)