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隨著新的SandyBridge-EP處理器發(fā)布，英特爾已經(jīng)將PCI-E 3.0的普及提上了日程。那么在規(guī)格上，下一個將要升級的則要算是DDR3內(nèi)存了。

▲三星DDR4內(nèi)存樣品

從2007年第二季度開始，英特爾開始推出支持DDR3規(guī)格，不過由于當(dāng)時的處理器并沒有集成內(nèi)存控制器，所以主板芯片組提供了對DDR3規(guī)格的支持。而現(xiàn)在，隨著IEEE協(xié)會對DDR4標(biāo)準(zhǔn)制定的完成以及各個內(nèi)存廠商開始展示DDR4內(nèi)存樣品，DDR4的腳步也仿佛越來越近。

但反觀DDR3規(guī)格，經(jīng)過5、6年的鋪墊和發(fā)展，目前DDR3仍然處于黃金時期，新的低電壓內(nèi)存以及更高頻率讓DDR3市場依然保持著相當(dāng)?shù)耐�盛。尤其是虛擬化和內(nèi)存計算等應(yīng)用的誕生，業(yè)界對內(nèi)存的需求也有增無減�，F(xiàn)在正式推出DDR4標(biāo)準(zhǔn)對于業(yè)界來說并不是最好的選擇。據(jù)悉，英特爾的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護(hù)和錯誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大規(guī)模用于服務(wù)器和企業(yè)中心自然能看到立竿見影的好處。

而另一方面，對于內(nèi)存顆粒生產(chǎn)企業(yè)來說，DDR3顆粒價格的持續(xù)走低給各家的壓力非常巨大。由于工藝制程的不斷進(jìn)步以及傳統(tǒng)PC銷量的低迷，緊靠著企業(yè)級市場的強(qiáng)勁需求已經(jīng)不能讓內(nèi)存顆粒廠商保持盈利，前段時間爾必達(dá)的突然破產(chǎn)保護(hù)就是最好的例證。因此，借新標(biāo)準(zhǔn)的出臺從而提升利潤率無疑是目前顆粒生產(chǎn)廠家最大的希望。

不過，從英特爾的觀點(diǎn)來看，英特爾并不急于推出新標(biāo)準(zhǔn)�？磥眍w粒生產(chǎn)企業(yè)仍然需要在艱難困苦當(dāng)中再堅持一段時間。爾必達(dá)已經(jīng)倒下了，下一個會是誰?