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SanDisk正在以3D NAND為主打產(chǎn)品規(guī)劃自己的技術(shù)路線——所謂3D NAND，是指在一塊閃存芯片中對(duì)記錄層加以堆疊，從而在同等空間中實(shí)現(xiàn)容量提升的方案。

SanDisk公司目前正在全力研發(fā)其最新BiCS（即Bit成本可擴(kuò)展NAND）產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將在2015年第四季度或者2016年正式與用戶見(jiàn)面。

我們就這一話題咨詢了Objective Analysis公司顧問(wèn)兼分析師Jim Handy，他表示：“BiCS并不屬于堆疊式芯片，這種新方案其實(shí)相當(dāng)昂貴。BiCS只是在同一塊芯片中對(duì)數(shù)據(jù)加以堆疊。其N(xiāo)AND將采用縱向bit串排列而非傳統(tǒng)的橫向排列。”

新產(chǎn)品的制造對(duì)晶圓代工水平提出了新要求，其生產(chǎn)方式也與原先的NAND存在本質(zhì)區(qū)別。舉例來(lái)說(shuō)，目前的各類(lèi)NAND主要采用34納米或者28納米制造工藝，雖然精度有所區(qū)別，不過(guò)整個(gè)生產(chǎn)流程基本保持不變。但BiCS則完全不同：“最大的難題在于新產(chǎn)品徹底改變了生產(chǎn)方式，半導(dǎo)體制造商雖然能夠接受10%到25%的流水線組件變動(dòng)，但BiCS需要替換掉約四分之三的流水線組件。”

Handy表示其中“涉及更多蝕刻與沉積工藝，而不像當(dāng)前的2D NAND那樣主要依靠光刻技術(shù)。”

關(guān)于NAND產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，他做出了如下說(shuō)明：

一般來(lái)說(shuō)，廠商需要通過(guò)縮減芯片面積的方式來(lái)降低生產(chǎn)成本。然而堆疊式芯片的面積與普通芯片并無(wú)區(qū)別，因此無(wú)法通過(guò)傳統(tǒng)手段控制產(chǎn)品價(jià)格。不過(guò)創(chuàng)建縱向結(jié)構(gòu)（例如3D NAND或者FinFET）能夠在相同面積中塞進(jìn)更多晶體管/bit，這樣芯片也就變相縮小了面積、降低了成本。

如果單塊NAND芯片的面積得到縮減，廠商就能從一塊標(biāo)準(zhǔn)晶圓中切割出更多芯片，從而降低單一產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。

東芝提供的BiCS技術(shù)演示圖

根據(jù)Handy的說(shuō)明，SandDisk的BiCS計(jì)劃還沒(méi)有做好率先上市的準(zhǔn)備。“在今年五月的股東會(huì)議上，SanDisk曾明確表示如果沒(méi)有把握獲得比1Z更高的投資回報(bào)率，他們將不會(huì)把BiCS推向市場(chǎng)。”

“盡管如此，已經(jīng)有多位與會(huì)的投資分析師提出質(zhì)疑，稱(chēng)SanDisk不該坐等機(jī)會(huì)溜走而甘愿屈居三星之下。因?yàn)楦鶕?jù)傳聞，三星也有意在年內(nèi)推出其3D NAND方案�？雌饋�(lái)他們似乎沒(méi)有弄清楚市場(chǎng)先行者與賺得第一桶金者之間的區(qū)別。”

SanDisk這里需要解釋一下，SanDisk所謂的1Z是指單元尺寸在10納米與16納米之間、且更接近10納米的數(shù)字。