閃存芯片廠商SanDisk在周二提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)的一份文件中披露，它已經(jīng)與東芝展開(kāi)合作，聯(lián)合開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)可重復(fù)寫(xiě)入的3D內(nèi)存。
SanDisk在聲明中稱(chēng),兩家公司都將拿出與3D內(nèi)存芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)的技術(shù)并交叉授權(quán)。東芝將向SanDisk支付一定的授權(quán)費(fèi)用.雙方最終可能合 作研發(fā)出一種新型的內(nèi)存技術(shù),取代目前的NAND閃存技術(shù).SanDisk目前的主要產(chǎn)品就是NAND閃存芯片,這種內(nèi)存芯片可用來(lái)儲(chǔ)存照片、歌曲和其他 數(shù)據(jù),主要應(yīng)用于iPod、iPhone、數(shù)碼相機(jī)和其他設(shè)備。
3D內(nèi)存芯片的概念早就出現(xiàn)過(guò)。這種技術(shù)是廠商們?cè)诙嗄昵盀榱私档蛢?nèi)存芯片的成本和延長(zhǎng)信息儲(chǔ)存的時(shí)間而開(kāi)發(fā)的，據(jù)說(shuō)這種技術(shù)可以將信息儲(chǔ)存100多年,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于NAND閃存芯片技術(shù)的信息儲(chǔ)存時(shí)間。
幾年之前，Matrix Semiconductor將內(nèi)存陣列從橫向排列改為縱向排列,從而開(kāi)發(fā)出一種3D內(nèi)存芯片，據(jù)說(shuō)可以降低成本。后來(lái)，它與中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電聯(lián)合生產(chǎn)這類(lèi)芯片，但是從未獲得市場(chǎng)的重視.
SanDisk在2005年收購(gòu)了Matrix.SanDisk此次攜手東芝聯(lián)合開(kāi)發(fā)的3D 內(nèi)存芯片與Matrix之前開(kāi)發(fā)的3D內(nèi)存芯片有一個(gè)很大的不同之處,那就是Matrix之前開(kāi)發(fā)的3D內(nèi)存芯片是不可重復(fù)寫(xiě)入的.那些芯片一旦儲(chǔ)存了某些數(shù)據(jù),就會(huì)永遠(yuǎn)保留下來(lái)。SanDisk與東芝希望開(kāi)發(fā)出可重復(fù)使用的3D內(nèi)存芯片。
幾年之前，東芝開(kāi)發(fā)過(guò)一款名為BiCS的可重復(fù)寫(xiě)入的3D閃存芯片,其中的內(nèi)存陣列也是縱向排列的。東芝已經(jīng)研制出這類(lèi)芯片的樣品,但是尚未正式投產(chǎn)。
SanDisk和東芝打算將雙方的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和技術(shù)資源結(jié)合在一起，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)3D內(nèi)存芯片和生產(chǎn)技術(shù)。雙方公司沒(méi)有透露整個(gè)聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃的成本以及相關(guān)的授權(quán)費(fèi)用。
但是3D內(nèi)存芯片應(yīng)該不會(huì)很快出現(xiàn)在市場(chǎng)上.Forward Insights的研究總裁Gregory Wong認(rèn)為，SanDisk和東芝可能要花3到4年的時(shí)間才能開(kāi)發(fā)出第一款可以與NAND閃存芯片競(jìng)爭(zhēng)的3D內(nèi)存芯片產(chǎn)品。
Wong表示,3D內(nèi)存芯片面臨的一個(gè)嚴(yán)重問(wèn)題是,它很難投入大批量生產(chǎn)。
可重復(fù)寫(xiě)入的3D內(nèi)存芯片由多層縱向排列的二極管陣列組成，目前只有采用四層堆棧式內(nèi)存單元的芯片可以利用先進(jìn)技術(shù)批量生產(chǎn).Matrix在2003年展出了一款八級(jí)堆棧式內(nèi)存單元組成的芯片，但是那塊芯片樣品是用250納米制程工藝生產(chǎn)出來(lái)的，而四級(jí)堆棧式內(nèi)存單元組成的芯片使用的是80納米制程生產(chǎn)工藝。
Wong表示:“如何用先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)八級(jí)堆棧式內(nèi)存單元組成的芯片是它們面臨的另一個(gè)難題。”
