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DOSTOR存儲(chǔ)在線(xiàn) 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線(xiàn)-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。

SanDisk公司目前在其新的BiCS (Bit-Cost Scalable NAND Bit-Cost可擴(kuò)展NAND）產(chǎn)品，它可能是在2015年第四季度交付，或在2016年。

我們問(wèn)Objective Analysis的顧問(wèn)及分析師Jim Handy目前怎樣做的，他說(shuō)“BiCS不是堆疊芯片,它是昂貴的。這是疊加位在同一塊芯片上。NAND被制成成垂直串位，而不是今天的水平的字符串。”

這對(duì)晶圓代工水平要求是苛刻的，因?yàn)樗鼜母�本上改變了NAND。比如縮小現(xiàn)有的流程從34納米NAND到28 nm NAND,流程中的步驟通常保持不變。BICS并非如此，“一個(gè)最值得關(guān)注的問(wèn)題是，它改變了整個(gè)過(guò)程。半導(dǎo)體制造商調(diào)整他們的晶圓廠(chǎng)從一個(gè)過(guò)程到下一個(gè)移動(dòng)通過(guò)更換工裝的10-25％，但是BICS的出現(xiàn)這將是75％的大部分進(jìn)行全新更換。”

分析師說(shuō)，“涉及蝕刻/沉積，而不是像[現(xiàn)有2D NAND盡可能多的光刻。”

NAND生產(chǎn)成本：

整點(diǎn)收縮是縮小芯片的面積來(lái)降低成本。堆疊芯片仍消耗相同的區(qū)域所以它不執(zhí)行任何操作來(lái)減少成本,但是創(chuàng)建垂直結(jié)構(gòu)(3D NAND或FinFETs)中為一個(gè)給定的區(qū)域集成更多的晶體管/位,所以芯片可以做得更小,更便宜。

如果一個(gè)NAND芯片面積減少，你可以削減更多的他們從一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓成本，因此，每個(gè)芯片的成本下降。

(P-BIC碼具有“U”形的NAND串在背柵極底部部分，以減少寄生電阻。并沒(méi)有在CGS之間擴(kuò)散。選擇具有不對(duì)稱(chēng)的源極和漏極結(jié)構(gòu)門(mén)，以減少電流關(guān)閉。)幻燈片內(nèi)容

東芝BICS技術(shù)幻燈片

SandDisk BiCS的時(shí)間表并不取決于它能成為第一個(gè)市場(chǎng)，分析師認(rèn)為。 “SanDisk公司，在其5月投資者會(huì)議上，做了一個(gè)非常大的指向說(shuō)，他們不會(huì)被推出BICS，直到它被證明相對(duì)于1Z能提供更好的投資回報(bào)率”。

“盡管如此,”分析師繼續(xù)講道,“有的內(nèi)部投資分析師質(zhì)疑為什么公司會(huì)落后于三星,有傳言說(shuō)今年他會(huì)介紹它的3 d NAND今年。似乎他們不明白兩者之間的不同，是成為第一市場(chǎng),還是要第一個(gè)利潤(rùn)。”

SanDisk的1Z術(shù)語(yǔ)是指至10nm比16nm以下，這是一般所理解的1Z內(nèi)的單元格的大小。