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閃存芯片廠商SanDisk在周二提交給美國證券交易委員會的一份文件中披露，它已經(jīng)與東芝展開合作，聯(lián)合開發(fā)和生產(chǎn)可重復(fù)寫入的3D內(nèi)存。

SanDisk在聲明中稱,兩家公司都將拿出與3D內(nèi)存芯片開發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)的技術(shù)并交叉授權(quán)。東芝將向SanDisk支付一定的授權(quán)費(fèi)用。雙方最終可能合 作研發(fā)出一種新型的內(nèi)存技術(shù),取代目前的NAND閃存技術(shù).SanDisk目前的主要產(chǎn)品就是NAND閃存芯片,這種內(nèi)存芯片可用來儲存照片、歌曲和其他 數(shù)據(jù),主要應(yīng)用于iPod、iPhone、數(shù)碼相機(jī)和其他設(shè)備。

3D內(nèi)存芯片的概念早就出現(xiàn)過。這種技術(shù)是廠商們在多年前為了降低內(nèi)存芯片的成本和延長信息儲存的時間而開發(fā)的，據(jù)說這種技術(shù)可以將信息儲存100多年,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于NAND閃存芯片技術(shù)的信息儲存時間。

幾年之前，Matrix Semiconductor將內(nèi)存陣列從橫向排列改為縱向排列,從而開發(fā)出一種3D內(nèi)存芯片，據(jù)說可以降低成本。后來，它與中國臺灣的臺積電聯(lián)合生產(chǎn)這類芯片，但是從未獲得市場的重視。

SanDisk在2005年收購了Matrix.SanDisk此次攜手東芝聯(lián)合開發(fā)的3D 內(nèi)存芯片與Matrix之前開發(fā)的3D內(nèi)存芯片有一個很大的不同之處,那就是Matrix之前開發(fā)的3D內(nèi)存芯片是不可重復(fù)寫入的.那些芯片一旦儲存了某些數(shù)據(jù),就會永遠(yuǎn)保留下來。SanDisk與東芝希望開發(fā)出可重復(fù)使用的3D內(nèi)存芯片。

幾年之前，東芝開發(fā)過一款名為BiCS的可重復(fù)寫入的3D閃存芯片,其中的內(nèi)存陣列也是縱向排列的。東芝已經(jīng)研制出這類芯片的樣品,但是尚未正式投產(chǎn)。

SanDisk和東芝打算將雙方的知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)資源結(jié)合在一起，進(jìn)一步開發(fā)3D內(nèi)存芯片和生產(chǎn)技術(shù)。雙方公司沒有透露整個聯(lián)合開發(fā)計劃的成本以及相關(guān)的授權(quán)費(fèi)用。

但是3D內(nèi)存芯片應(yīng)該不會很快出現(xiàn)在市場上。Forward Insights的研究總裁Gregory Wong認(rèn)為，SanDisk和東芝可能要花3到4年的時間才能開發(fā)出第一款可以與NAND閃存芯片競爭的3D內(nèi)存芯片產(chǎn)品。Wong表示,3D內(nèi)存芯片面臨的一個嚴(yán)重問題是,它很難投入大批量生產(chǎn)。

可重復(fù)寫入的3D內(nèi)存芯片由多層縱向排列的二極管陣列組成，目前只有采用四層堆棧式內(nèi)存單元的芯片可以利用先進(jìn)技術(shù)批量生產(chǎn).Matrix在2003年展出了一款八級堆棧式內(nèi)存單元組成的芯片，但是那塊芯片樣品是用250納米制程工藝生產(chǎn)出來的，而四級堆棧式內(nèi)存單元組成的芯片使用的是80納米制程生產(chǎn)工藝。

Wong表示:“如何用先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)八級堆棧式內(nèi)存單元組成的芯片是它們面臨的另一個難題。”

由不可重復(fù)到可重復(fù)寫入的3D內(nèi)存，其大大延長信息存儲的周長，對于未來存儲發(fā)展有重要意義。