東芝擴建閃存工廠 希望突破NAND容量限制
ZDNet編譯 發(fā)表于：13年07月08日 14:36 [轉載] DOIT.com.cn
東芝公司已經表示將對位于日本三重縣四日市的Fab 5 NAND制造工廠進行擴建，而就在此前SanDisk也公布了類似的計劃。
龐大的四日市工廠顯然在各個建筑物之間建起了地下軌道，而每新建一棟建筑、地鐵站點也將相應增加。
SanDisk與東芝還共同建立了一家閃存代工合資企業(yè)，其目的在于向下一代工藝技術過渡，也就是由目前的19納米制造工藝向10納米邁進。
此次擴建還將為NAND的更新?lián)Q代做好準備，即通過垂直通道或者通孔實現(xiàn)各層連接，從而打造出3D芯片。這種方式能夠在繼續(xù)使用原有制造設備而無需引入新工藝技術的前提下，提升NAND芯片的容量限制。
一般說來，新的工藝技術意味著存儲單元更小、性能更低而且工作壽命更短。業(yè)界普遍認為亞10納米級別NAND單元在性能及耐久性方面恐怕比較糟糕，而且目前尚未有合適的控制器技術來抵消這些負面因素。
但3D芯片設計思路的出現(xiàn)一方面讓NAND芯片擁有高于以往的存儲容量，同時提供可以接受的速度與耐用性，而產品成本也不至于面臨顯著提高。希望3D NAND能夠為亞10納米工藝帶來容量突破的全新方向。
東芝閃存Fab 5工廠效果圖
我們也期待包括現(xiàn)代、美光及三星等企業(yè)在內的其它閃存代工運營商盡早公布自己的工廠擴建計劃。只要NAND還未出現(xiàn)供過于求的問題，他們就能夠繼續(xù)保持旺盛的盈利勢頭。
