MLC壽命變差的原理
王欣 發(fā)表于:13年05月08日 11:00 [轉(zhuǎn)載] 天極網(wǎng)
MLC壽命變差的原理
現(xiàn)在不妨拋開顆粒發(fā)展的問題,只停留在還算成熟和穩(wěn)定的MLC上,看看不同時代的MLC顆粒有哪些變化。
在《固態(tài)硬盤發(fā)展之殤:漸行漸遠(yuǎn)的企業(yè)存儲方案》有一張圖是用來描述固態(tài)硬盤對于ECC校驗依賴性的,不過其中的一些其他信息成為了本文的重要內(nèi)容。
在這張圖里除了顯示出SSD固態(tài)硬盤對于ECC校驗越來越依賴之外,在橫軸上列舉了5種類型的存儲顆粒,分別是SLC、50納米工藝的MLC、 30納米工藝的MLC、20納米工藝的MLC以及TLC,中間的三種MLC的壽命又是什么情況呢?在圖中可以很清楚的看到,50納米MLC的壽命是 10000次,依賴于4bit ECC校驗,30納米MLC的壽命是5000次,依賴于8bit ECC校驗,而20納米MLC的寫入壽命是3000次,依賴15bit ECC校驗。
也就是說同樣是MLC顆粒,隨著制造工藝的提升,晶體管也朝著越來越脆弱的方向發(fā)展了,如果不是ECC校驗規(guī)格不斷提升,MLC的寫入壽命也隨著工藝進步在以不可思議的速度衰退。
ECC校驗會占用一定的性能,這部分要依賴于主控芯片,幸好主控芯片的性能提升幅度比較大,讓SSD廠商得以從軟件上彌補硬件的不足。不過工藝提升的道路是無休止的,最駭人聽聞的事情還是出現(xiàn)了。
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