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標(biāo)簽:hdd 第7頁

日本開發(fā)磁阻比140%阻值0.4Ωμm2硬盤TMR元件

    存儲在線 5月12日消息:日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)與日本佳能Anelva公司開發(fā)成功了可支持記錄密度為500Gbit/平方英寸的硬盤磁頭用TMR元件。由于使用現(xiàn)有的濺鍍設(shè)備開發(fā),所以向硬盤廠商移...

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日本稱研制出能大幅提高硬盤存儲密度的新技術(shù)

    新華社東京5月10日電(記者錢錚)日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和佳能公司最近研制出一種新型硬盤磁頭,可把硬盤的存儲密度提高到現(xiàn)有水平的4倍以上,采用這一技術(shù)可使手機(jī)等便攜產(chǎn)品中的小型硬盤也能存儲高清晰圖像。 ...

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