磁頭是數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中重要的電磁換能元件。據(jù)１０日的《日經(jīng)產(chǎn)業(yè)新聞》報(bào)道，新型磁頭用氧化鎂制造而成。這種磁頭在硬盤存儲密度超過每平方英寸５００吉比特時依然能保證對信息的高速讀取，突破了目前存儲密度每平方英寸１００多吉比特高速讀取的水平。

    實(shí)現(xiàn)硬盤存儲密度的提升，應(yīng)同時保證磁頭低電阻和高磁阻比兩個條件。為降低電阻，必須減小氧化鎂膜的厚度，但膜的厚度降到１納米以下時，氧化鎂結(jié)晶構(gòu)造會出現(xiàn)錯亂，致使電阻不能進(jìn)一步降低。

    日本研究人員發(fā)現(xiàn)，生產(chǎn)裝置中殘留的微量水蒸氣是破壞結(jié)晶構(gòu)造的原因。他們在生產(chǎn)裝置中鋪設(shè)了吸收水蒸氣的鉭層，從而使磁頭的電阻率減少到原有技術(shù)的五分之一，而磁阻比維持原有水平。

多易