英特爾一直致力于將處理器、加速器和存儲器等各種各樣的芯片堆疊起來，組合到更大規(guī)模的封裝中，幫助客戶讓產品性能“更上一層樓”。在2025 IEEE電子器件技術大會（ECTC）上，英特爾分享了其封裝技術的最新進展，這一大會由IEEE（電氣電子工程師學會）電子封裝協(xié)會主辦，聚焦于封裝、器件和微電子系統(tǒng)的科研、技術與教育，是封裝領域的國際頂會。
具體而言，英特爾在封裝領域的三大關鍵技術路徑包括：提高封裝的良率，確保供電穩(wěn)定可靠，以及通過有效的熱管理技術實現散熱。
EMIB-T：穩(wěn)定供電
英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術已經投入生產，突破了光罩尺寸的限制，實現了多芯片之間的高速互聯(lián)。此外，通過硅通孔（TSV）技術，EMIB-T 優(yōu)化了供電效率，并為集成高速HBM4，以及基于UCIe標準的芯粒提供了簡便的解決方案。
熱壓鍵合：提高良率
隨著封裝尺寸越來越大，集成多芯片的復雜程度也在同步提升。英特爾計劃通過探索高精度、大光罩熱壓鍵合（TCB）的先進工藝來提高良率和可靠性。
分解式散熱器：高效散熱
隨著封裝變得越來越復雜，尺寸也越來愈大，熱設計功耗（TDP）也在不斷增加。為應對散熱層面的挑戰(zhàn)，英特爾正在研發(fā)全新的分解式散熱器技術，以及新一代熱界面材料。這些創(chuàng)新可以更有效地將熱量從熱源傳遞到散熱器的各個部分，進而提升整體的散熱效率。
