英飛凌功率系統(tǒng)業(yè)務線負責人Richard Kuncic 表示：“英飛凌提供的豐富高性能MOSFET和GaN晶體管產(chǎn)品組合能夠滿足AI服務器電源對設(shè)計和空間的苛刻要求。我們致力于通過CoolSiC? MOSFET 400 V G2等先進產(chǎn)品為客戶提供支持，推動先進AI應用實現(xiàn)最高能效?！?/p>

與現(xiàn)有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的傳導和開關(guān)損耗。這款AI服務器電源裝置的AC/DC級采用多級PFC，功率密度達到100 W/in3以上，并且效率達到99.5%，較使用650 V SiC MOSFET的解決方案提高了0.3個百分點。此外，由于在DC/DC級采用了CoolGaN?晶體管，其系統(tǒng)解決方案得以完善。通過這一高性能MOSFET與晶體管組合，該電源可提供8千瓦以上的功率，功率密度較現(xiàn)有解決方案提高了3倍以上。

全新MOSFET產(chǎn)品組合共包含10款產(chǎn)品：5款R_DS(on) 級（11至45 mΩ）產(chǎn)品采用開爾文源TOLL和 D2PAK-7 封裝以及.XT 封裝互連技術(shù)。在T_vj = 25°C 時，其漏極-源極擊穿電壓為400 V，因此非常適合用于2級和3級轉(zhuǎn)換器以及同步整流。這些元件在苛刻的開關(guān)條件下具有很高的穩(wěn)健性，并且通過了100%的雪崩測試。高度穩(wěn)健的CoolSiC?技術(shù)與.XT互連技術(shù)相結(jié)合，使這些半導體器件能夠應對AI處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態(tài)，并且憑借連接技術(shù)和低正 R_DS(on) 溫度系數(shù)，即便在結(jié)溫較高的工作條件下也能發(fā)揮出色的性能。

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