與競爭對手不同的是，美光至少在幾年內(nèi)不打算使用極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。但為了增加其存儲芯片的密度和降低單位比特成本，美光要依靠其他創(chuàng)新縮小DRAM的尺寸。美光的1α節(jié)點與 1Z相比，比特位密度提高40%，功耗降低15%。1α節(jié)點還提供更高的性能潛力。
美光還必須改進陣列效率設(shè)計和使用新材料，包括更好的導(dǎo)體、絕緣體，還有新設(shè)備來沉積、調(diào)整或選擇性去除相關(guān)材料。
美光的8Gb DDR4芯片已經(jīng)批量發(fā)售，是首款采用其1α節(jié)點的芯片。6月中下旬開始出貨使用1α節(jié)點制造的LPDDR4X芯片。美光最終會將幾乎所有DRAM都過渡到1α工藝，包括 DDR5、HBM2E和GDDR6/GDDR6X。
目前，美光在臺灣省的A3晶圓廠采用了1α技術(shù)。未來美光會在其它晶圓廠采用新技術(shù)。除此之外美光還完成了基于1α節(jié)點的DDR4在最新服務(wù)器平臺上的認證，包括AMD的第三代EPYC代號Milan（米蘭）的處理器。芯片還可用于筆記本電腦。
