紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國發(fā)表講話?
紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國在講話中強調(diào)：國家存儲器基地項目是中國集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領域的航空母艦。在生產(chǎn)廠房于去年9月提前一個月封頂、32層三維NAND閃存芯片自主研發(fā)取得重大突破的基礎上，今天我們又提前20天實現(xiàn)了芯片生產(chǎn)機臺搬入。這正如航母舾裝完畢，開始裝配武器彈藥，下一步就要在今年底實現(xiàn)芯片量產(chǎn)，出海遠航?；蛟S不久就可以看到采用國產(chǎn)三維NAND?閃存芯片的智能手機問世。?
長江存儲武漢新廠房的啟動，代表國內(nèi)實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的全新起點，對中國半導體產(chǎn)業(yè)極具里程碑意義！紫光在武漢、南京、成都三地皆具備12寸廠，率先啟動的是武漢基地，趙偉國指出，武漢將募資800億人民幣，日前金額已經(jīng)全數(shù)到位，今年可進入小規(guī)模量產(chǎn)，明年進入128Gb的3D NAND在64層技術的研發(fā)。
業(yè)內(nèi)人士認為，現(xiàn)在NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)主流的3D NAND技術是64層和72層，雖然今、明兩年將跨入96層技術，但這個技術門檻十分高，要進入大量生產(chǎn)需要一些時間，如果紫光可以在64層3D NAND技術如期研發(fā)成功，那國內(nèi)自主存儲技術的腳步將更為堅定。
裝機典禮現(xiàn)場
長江存儲的裝機典禮后，針對全球來參加的半導體設備供應商舉行了“自主創(chuàng)芯 攜手共贏”的2018供應商大會，高啟全在會中宣布，長江存儲的32層3D NAND芯片已經(jīng)接獲首筆訂單，數(shù)量超過10,000顆，達10,776顆芯片，將應用在8GB USD卡上，這代表國內(nèi)3D NAND芯片研發(fā)已經(jīng)跨出成功的第一步，不但研發(fā)成功，并且進入商用化！
?國家存儲器基地
事實上，長江存儲的武漢基地第一期生產(chǎn)線進度十分快速，2017年9月已提前封頂，2017年11月長江存儲第一顆32層3D NAND芯片宣布研發(fā)成功，而2018年2月進行廠內(nèi)潔凈室、消防等系統(tǒng)安裝，4月11日這天正式舉行半導體設備裝機典禮，實現(xiàn)國內(nèi)3D NAND芯片量產(chǎn)僅一步之遙！
趙偉國再強調(diào)，除了武漢的長江存儲基地所需800億人民幣到位，另兩大基地成都、南京也會各自會再投入500億元，加上紫光正和重慶市政府、大基金等成立注冊資本1,000億元的新公司，五年備妥3,700億元的資金要把芯片產(chǎn)業(yè)建起來，這是個大戰(zhàn)略布局。未來武漢長江存儲的長期規(guī)劃是單月高達30萬片的12寸晶圓產(chǎn)能，加上南京、成都兩大基地，紫光集團的“芯”布局絕對是推升全球半導體產(chǎn)業(yè)往前沖的一大助力，集團內(nèi)部也期待在3D NAND技術領域在未來2~3年要彎道超車，積極累積手上的專利，關鍵是要在2020年上好好打上一仗！
11日的裝機典禮中，全球半導體設備大廠高層齊聚一堂。華芯投資管理有限責任公司總裁路軍、副總裁任凱，紫光集團總裁張亞東，聯(lián)席總裁齊聯(lián)、王慧軒，紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事長高啟全，長江存儲總裁楊士寧，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金副總裁兼長江存儲監(jiān)事會主席彭紅兵，長江存儲副董事長楊道虹，與武漢市委副書記、常務副市長陳瑞峰，湖北省發(fā)改委主任、武漢市委常委、東湖新技術開發(fā)區(qū)黨工委書記程用文，武漢市副市長徐洪蘭，東湖新技術開發(fā)區(qū)黨工委副書記、管委會主任劉子清，東湖高新區(qū)黨工委副書記、管委會常務副主任陳平，武漢市政府秘書長劉志輝等領導，武漢市發(fā)改委、經(jīng)信委、科技局等主要負責人參加調(diào)研；國際知名設備廠商TEL、LAM、AMAT，國內(nèi)知名設備廠商北方華創(chuàng)、中微半導體等主要負責人參加活動。
