生成式AI不僅加速了全球算力的增長，也推動了數(shù)據(jù)存儲的全面升級。隨著越來越多數(shù)據(jù)被保留下來用于模型訓(xùn)練與推理（如RAG），數(shù)據(jù)中心中的熱數(shù)據(jù)量迅速攀升，對存儲的性能、功耗和成本都提出了更高要求。 SSD憑借高性能優(yōu)勢，在數(shù)據(jù)存取上發(fā)揮著關(guān)鍵...

朱 朋博2025-05-16業(yè)界動態(tài)

2月24日，有韓媒稱三星電子與長江存儲（YMTC）正式簽署許可協(xié)議，第10代NAND開始采用長江存儲的混合鍵合技術(shù)?；旌湘I合技術(shù)是400層以上NAND的必備工藝，長江存儲作為該技術(shù)專利的先行注冊者，使得三星提前布局來避免侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)。 目前，美...

崔 歡歡2025-02-25先進(jìn)存力

供應(yīng)鏈有消息稱，近期存儲器市場價(jià)格觸底回升，三星電子Nand Wafer合約價(jià)已上調(diào)9%-11%，減產(chǎn)效益下，三星帶頭調(diào)漲NAND Flash價(jià)格策略奏效。 目前幾乎所有的存儲芯片供應(yīng)商都有意跟進(jìn)，海力士和長江存儲將很快加入漲價(jià)行列，漲幅可...

朱 朋博2023-09-08業(yè)界動態(tài)

閃存的發(fā)展史可以追溯到1967年，當(dāng)貝爾實(shí)驗(yàn)室的Dawon Kahng和Simon Sze共同發(fā)明了浮柵MOSFET，這是所有閃存，EEPROM和EPROM的基礎(chǔ)?。 1967年，貝爾實(shí)驗(yàn)室江大原（Dawon Kahng，韓裔）和施敏博士（...

朱 朋博2023-07-04業(yè)界動態(tài)

為更好地滿足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應(yīng)用，憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級NVMe SSD——UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長江存儲128L 3D NAND，專為數(shù)據(jù)中心級業(yè)務(wù)場景而設(shè)計(jì)。 UH711a單盤容量最高達(dá)7.68...

朱 朋博2022-12-26先進(jìn)存力

2022年7月29日，今天，北京憶恒創(chuàng)源科技股份有限公司（以下簡稱“Memblaze”）正式發(fā)布了PBlaze6 6531系列PCIe 4.0企業(yè)級NVMe SSD。該系列產(chǎn)品是基于MUFP開發(fā)的又一款作品，使用長江存儲晶棧Xtacking...

宋 家雨2022-07-29先進(jìn)存力

7月16日晚間，長江存儲發(fā)布聲明回應(yīng)實(shí)體清單相關(guān)問題，強(qiáng)調(diào)“提供的產(chǎn)品與服務(wù)均為面向商用及民用市場”，聲明原文如下： 2021年7月13日，長江存儲科技有限責(zé)任公司發(fā)現(xiàn)多家網(wǎng)絡(luò)媒體轉(zhuǎn)發(fā)長江存儲和美國貿(mào)易限制清單相關(guān)的新聞和消息。 對此，長江...

朱 朋博2021-07-17先進(jìn)存力

9月10日，長江存儲推出致鈦系列兩款消費(fèi)級固態(tài)硬盤(SSD)新品，分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具強(qiáng)勁的性能和可靠的品質(zhì)。

張 妮娜2020-09-11業(yè)界動態(tài)

長存預(yù)計(jì)將在三季度推出自有品牌的SSD，二期廠房建設(shè)項(xiàng)目也已經(jīng)開始動工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月。

崔 歡歡2020-08-14先進(jìn)存力

今天國產(chǎn)的存儲芯片行業(yè)發(fā)生異動，傳聞紫光旗下的紫光存儲解散，相關(guān)人員要合并到長江存儲中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明，辟謠相關(guān)報(bào)道。存儲芯片是近年來國產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重，畢竟一年進(jìn)口的內(nèi)存及閃存芯片超過1000億美元，份量極大，而紫光主導(dǎo)...

朱 朋博2020-03-19業(yè)界動態(tài)