圖來自Wikibon
圖來自西部數據
近年來，隨著3D NAND，以及MLC、TLC甚至QLC技術的推出，工藝水平的提高，單個晶元中能產出更多的NAND芯片空間，閃存的價格不斷下降。
性能方面的優(yōu)勢是閃存最誘人的地方，在閃存加速，在對IOPS、時延比較敏感的存儲場景中，閃存得到了大范圍采用，但成本限制了其進一步擴張。
所以，1.5 rpm的高性能磁盤就非常尷尬了，它是最先被閃存存儲取代的部分，緊隨其后的萬轉磁盤也面臨著SSD的侵蝕。
大容量的近線磁盤會不會好點呢？
SSD容量的增速完全不遵守磁盤的發(fā)展規(guī)律，小到128GB大到15TB甚至更高的都有，存儲密度非常的高，不過市面上最大的磁盤才14TB，相比之下，領后者非常汗顏。
希捷的Roadmap中提到幾年后的磁盤也會做到40TB，單位容量的價格也會越來越低，閃存取代磁盤之路走的看起來并沒有想象中的那么順利。
Gartner研究結果顯示：閃存取代磁盤也并不現實。
下圖是Gartner對SSD和HDD成本預測：
如圖所示，2014年的SSD價格大約0.8美元/GB，2021年預計降到0.10美元/GB，磁盤價格下降速度明顯比較緩慢。
綠線顯示的是SSD和HDD價格差的比率，兩者穩(wěn)定的維持在85%-90%左右，這一趨勢到2021年也不會有大的變化。
只要磁盤的容量能繼續(xù)保持足夠快的增速，那么相比于SSD的單位容量的價格優(yōu)勢就會繼續(xù)保持。
下面兩張圖做了一個計算，1000美元的SSD和100美元的磁盤開始，每年價格都降低30%，價格曲線如下圖所示：
如果把縱軸改為對數刻度，那么這變化曲線之間的變化關系就更為明顯了。
這也在說明，磁盤相對SSD的價格優(yōu)勢并沒有想象中那么大，以相近的價格變化趨勢來預測取代的結果，理論上是不成立的。
如果相信會以無可爭議的趨勢快速SSD取代磁盤，那么我們也可以相信基于SSD的全閃存陣列會取代原來的基于磁盤的磁盤陣列。
Infinidat劍走偏鋒，不做基于SSD的全閃存陣列，而是堅持使用二級閃存緩存的磁盤陣列，性能全靠速度更快，穩(wěn)定性更好的DRAM緩存來實現，Infinidat宣稱其DRAM緩存的讀命中率達到90％。
所有人都認可全閃存陣列能秒殺磁盤陣列，但Infinidat則堅信DRAM緩存增強的磁盤系統(tǒng)性能會更好，更重要的是，價格比全閃存陣列便宜。
什么，DRAM的系統(tǒng)比全閃存的系統(tǒng)便宜？是的，不過，這個是有前提條件的。Infinidat說的性價比優(yōu)勢在大容量1PB對比下才能體現出來的。
Infinidat劍走偏鋒的底氣來自于在DRAM緩存方面的優(yōu)勢，眾所周知，從磁盤存儲陣列到全閃存陣列的變動其實挺大的，不只是換介質這么簡單，在系統(tǒng)軟硬件的架構層面都需要做很大改變，面對全閃存系統(tǒng)的沖擊，傳統(tǒng)磁盤存儲系統(tǒng)廠商壓力巨大。
DELL EMC（VMAX）、IBM（DS8000）和日立Vantara（USP）的高端陣列自然首當其中，Infinidat的創(chuàng)始人是被譽為高端存儲之父的Moshe Yanai，Moshe Yanai是著名的EMC Symmetrix和IBM XIV的發(fā)明人和研制者，這兩大高端存儲產品是EMC和IBM存儲的非常核心的產品，可以說Moshe Yanai本人對于傳統(tǒng)磁盤存儲系統(tǒng)的理解非一般人能及。
Moshe Yanai的新公司Infinidat用DRAM緩存技術來改造磁盤存儲的做法自然非常值得期待，能充分利用上原來在磁盤系統(tǒng)中積累的優(yōu)勢，這一做法能否被別的高端存儲廠商看好呢？
列位看官，您覺得呢？
