今日，西部數(shù)據(jù)宣布其新型512GB，64層3D NAND芯片在日本四日市制造廠已經(jīng)開始試生產(chǎn)，該芯片硅晶圓采用了TLC閃存設(shè)計(可實(shí)現(xiàn)每單元3位的存儲量)。并且公司計劃在2017年下半年開始大批量生產(chǎn)。是不是有些似曾相識，我們倒回2016年7月，西數(shù)宣稱開始對采用其BiCS3技術(shù)的64層3D NAND進(jìn)行試生產(chǎn)。那么時至2017年，兩者之間有何不同?

2016年的芯片容量為256GB，今年發(fā)布的芯片容量是它的兩倍。西數(shù)早期的BiCS2 3D NAND芯片，表面積為105平方毫米，48層，256GB容量。2016年從48層到64層不斷加高，照說容量也應(yīng)該有所提升，奇怪的是沒有，可能西數(shù)的初代64層芯片采用了比48層芯片更大的光刻尺寸。

今年的這款3D NAND閃存芯片是基于垂直堆疊或西數(shù)與東芝合作稱為BiCS(Bit Cost Scaling)的3D技術(shù)。

西數(shù)bics3 3D NAND閃存

這款最新的3D NAND芯片已經(jīng)用于構(gòu)建口香糖大小，具有3.3TB以上存儲容量的SSD和容量超過10TB的標(biāo)準(zhǔn)2.5寸SSD。

三星是第一家在2013年就宣布大批量生產(chǎn)3D閃存芯片的企業(yè)，它們的技術(shù)稱為V-NAND，最初是32層NAND閃存堆儲容量相當(dāng)于東芝的48層3D NAND芯片，存儲容量為128GB或16GB。

英特爾和美光也都在生產(chǎn)3D NAND。美光一直致力于64層3D NAND，號稱一個256GB容量的芯片表面積僅為59平方毫米，是最小的64層3D NAND芯片，其晶圓體密度約為每平方毫米4.3GB容量。

小結(jié)

投資公司Stifel Nicolaus老板，Aaron Rakers羅列了以下多家供應(yīng)商并對其閃存晶圓體密度進(jìn)行了以下對比：

乍看起來，美光目前處于劣勢，除非它的芯片尺寸小到你能在閃存驅(qū)動器上獲得足夠的容量，相當(dāng)于競爭對手的512GB容量的芯片。這似乎不大可能。

此外，海力士正在開發(fā)72層堆疊閃存，轉(zhuǎn)回去年7月份，三星宣稱將在西數(shù)和東芝之前生產(chǎn)64層3D NAND芯片。三星的48層芯片具有256GB的容量，雖然Rakers的圖中并未顯示這一點(diǎn)，但我們預(yù)計64層芯片容量可躍升至512GB。

崔歡歡