（左起）圖為對(duì)話環(huán)節(jié)主持人馮丹、嘉賓方糧、繆向水和舒繼武

????? 問：幾位教授講的都是硬件的器件，可靠性和效率等等。有沒有考慮軟件方面的研究，我們現(xiàn)在有點(diǎn)像PCM，軟件上怎么改進(jìn)？軟件怎么更加有效地使用PCM。工業(yè)界可能有一些研究，但是相對(duì)更加前沿的東西能不能分享一下。

舒繼武：這方面比較多，特別是PCM也是很火的。因?yàn)樵谶@樣的場合下展開講沒有辦法講，但是我可以這么講你可以看相關(guān)的文獻(xiàn)。它會(huì)涉及到很多的方面，我把PCM可以用起來，讓DRAM參與進(jìn)來。大部分的都是混合，你的操作系統(tǒng)和文件系統(tǒng)怎么修改，也有這方面的研究。怎么管理，在這方面也是有的。從結(jié)構(gòu)和管理，包括怎么把它兩者之間調(diào)動(dòng)，對(duì)應(yīng)的操作系統(tǒng)修改，我們有一系列的研究應(yīng)該還是比較多的。我個(gè)人認(rèn)為PCM可以用起來，從技術(shù)上和理論上已經(jīng)沒有太大的障礙，現(xiàn)在為什么還沒有真正的用起來，有可能是成本的因素。

馮丹：軟件層面說，現(xiàn)在目前學(xué)界包括企業(yè)，大家都是從兩個(gè)層面在研究。控制器內(nèi)部怎么PCM特點(diǎn)，怎么彌補(bǔ)讀寫不對(duì)稱，讓主機(jī)來更好地用它。包括并行和可靠性等等，這些其實(shí)都是通過軟件結(jié)合來做一些研究，可以讓它可用，包括垃圾回收，這是在控制器內(nèi)部的。在主機(jī)的層面，真正用好的話PCM采用什么樣的方式，flash這樣的更快的SSD應(yīng)用，還有就是直接代替內(nèi)存。代替內(nèi)存目前還說可能經(jīng)過一段時(shí)間，因?yàn)槿萘亢退俣认啾菵RAM和SRAM相比差很多，DRAM加上PCRAM怎么代替內(nèi)存，主機(jī)也是需要重構(gòu)的。比如說內(nèi)存管理，這是相對(duì)DRAM的，還有文件系統(tǒng)也是相對(duì)SSD的也要重構(gòu)。這方面的研究大學(xué)和研究所，最近幾年好的會(huì)議上都有好的文章。

李衛(wèi)忠：今天上午產(chǎn)業(yè)界的人提到了中國有彎道超車的機(jī)會(huì)，產(chǎn)學(xué)研的角度聽聽你們的看法。

方糧：磁盤技術(shù)歷史悠久，也非常成熟，專利和知識(shí)產(chǎn)權(quán)被IBM控制，一些新型的技術(shù)，相變存儲(chǔ)，還有關(guān)鍵專利繞不開的專利，可能還沒有被每家完全控制，這些新出現(xiàn)的問題是我們趕超的很好機(jī)會(huì)。非常高興地看到國家注意到了這點(diǎn)，很多的項(xiàng)目立項(xiàng)投資做研究新技術(shù)，這是可喜的。

繆向水：武漢新芯做3D? Nand的項(xiàng)目我參與，為什么寫3D? Nand，怎么考慮的？現(xiàn)在國家做一個(gè)大的存儲(chǔ)基地，主攻方向在哪兒討論了很久。我們?nèi)绻鯪and? flash，現(xiàn)在的專利也好技術(shù)和價(jià)格都是沒有機(jī)會(huì)的，是不是可以直接到PCRAM呢，現(xiàn)在也沒有方向。但是對(duì)PCRAM來講，現(xiàn)在的三星、因特爾和美光說是有樣品的，但是在國內(nèi)來講還是中科院和華中科學(xué)有研究。盡快上這個(gè)項(xiàng)目又不能等，上了這個(gè)項(xiàng)目然后又能夠在不至于落后太遠(yuǎn)，又可以盡快上線，最后考慮3D? Nand的技術(shù)，這是基于現(xiàn)在的Nand技術(shù)，但是有很多的突破。從我們考慮調(diào)研的結(jié)果來說，三星是有產(chǎn)品在賣的，其它的公司也還是在鋪樣片的時(shí)候，落后不是太遠(yuǎn)。落后一年半兩年的時(shí)間，這個(gè)時(shí)間對(duì)中國來講是很好的窗口。武漢新芯說做一個(gè)不至于落后，但是又麻煩可以產(chǎn)業(yè)化的東西，可以選擇的余地不是太大?，F(xiàn)在2DNand到3D? Nand的展望期可以插進(jìn)去，這是很好的機(jī)遇，我們一直在做這樣的事情。包括中科院微電所，包括華中科技大學(xué)在做，現(xiàn)在3D? Nand做的16層。國家存儲(chǔ)基地現(xiàn)在已經(jīng)奠基啟動(dòng)，2018年有國產(chǎn)3D? Nand芯片可以供大家使用，規(guī)模很大。目標(biāo)是想國際上可以到老二和老三，可以滿足國內(nèi)市場需求，我們期待這一天的到來。

馮丹：大家從器件層面講了機(jī)會(huì)，處在變革器，3D? flash的出現(xiàn)，還有新的器件出現(xiàn)，RAM和DRAM等等。我們國家部署相應(yīng)的項(xiàng)目，這部分的關(guān)鍵技術(shù)不落后于國際上，這是器件層面的。在卡和軟件的層面，既然是在轉(zhuǎn)型期的話，機(jī)會(huì)是給大家均等的，在做控制器方面的話，我覺得我們因?yàn)榍懊嬗蠧PU和芯片的技術(shù)投入，讓我們對(duì)控制器芯片的掌握，還有軟件也是我們的優(yōu)勢(shì)。在這個(gè)地方都是一個(gè)機(jī)會(huì)。

問：四位專家講的東西在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域多了一些，其實(shí)我們的閃存技術(shù)里面有兩塊很重要的東西，一塊是材料Nand的發(fā)展，還有就是控制器芯片技術(shù)。因?yàn)樾酒夹g(shù)有很多種，可能可以放在這個(gè)盤上，也有可能放在主機(jī)上。關(guān)于芯片技術(shù)的發(fā)展，我想問一下四位專家有沒有以后的展望，你們看到未來的發(fā)展方向是什么。

馮丹：華為做資料已經(jīng)有芯片，對(duì)于新的器件和新辦法，F(xiàn)TL可以都放在底層，還有一部分放在主機(jī)。在這樣的情況下，對(duì)芯片的難度來說，應(yīng)該說是稍微降低了一點(diǎn)，這樣可以出來更多的各具特色不同的控制器芯片。

方糧：目前用的閃存控制器基本上商品化是國外的產(chǎn)品，但是我知道國內(nèi)有一些公司和研究機(jī)構(gòu)也在做。隨著CPU技術(shù)的成熟，國防科大和華為用的RAM的授權(quán)，基于RAM系統(tǒng)開發(fā)了多核的CPU，在此基礎(chǔ)上下一步可以完全地開發(fā)出功能更強(qiáng)，或者說適合我們應(yīng)用的控制芯片，RAM內(nèi)核作為基礎(chǔ)，再加上外圍的接口和固化的算法，有可能若干年以后做出性能更好，有更多特性的控制芯片。

馮丹：今天的討論到此結(jié)束。

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