技術層級躍遷：從幾層到數(shù)百層的3D NAND演化之路
從最初的2D平面結(jié)構(gòu)NAND，到2012年三星推出全球首個3D NAND架構(gòu)，閃存經(jīng)歷了從水平堆疊到垂直堆疊的革命性躍遷。其背后，是對存儲密度、性能、功耗、可靠性的全方位追求。
1987年：舛岡富士雄博士發(fā)明NAND架構(gòu)，奠定閃存發(fā)展主線。
2013-2017年：企業(yè)的24層、32層、48層3D NAND量產(chǎn)，此后3D NAND普遍達到了60多層。
2018年后：長江存儲提出Xtacking架構(gòu)，美光、SK海力士相繼突破96層、128層、176層，進入百層競爭時代。
2023至今：SK海力士展示321層閃存樣品，三星量產(chǎn)第9代V-NAND（290層），3D NAND朝400層以上沖刺。
層數(shù)不是終點，而是技術復合度的指數(shù)表達?；旌湘I合、CMOS下置、QLC/PLC位元設計、向量化讀寫接口正在協(xié)同演化，推動閃存從”可存”走向”可計算”的新時代。
企業(yè)沉?。杭娌?、重組與破產(chǎn)中的力量重構(gòu)
技術更替的背后，是一輪輪產(chǎn)業(yè)整合與資本洗牌。從上世紀末英特爾、閃迪、西數(shù)、東芝主導格局，到如今美光、SK海力士、長江存儲等后起之秀的崛起，企業(yè)在這場長期賽中歷經(jīng)起伏。
經(jīng)典兼并與聯(lián)盟。英特爾與美光成立IMFT（2006），共同開發(fā)NAND。
西部數(shù)據(jù)收購閃迪，形成HDD+SSD雙輪驅(qū)動（2005），十年后的2025年，西部數(shù)據(jù)與閃迪重新拆分，兩者分別作為獨立品牌運營。
貝恩資本財團收購東芝存儲業(yè)務（2018），更名鎧俠。
SK海力士收購英特爾NAND業(yè)務，成立Solidigm（2020-2021）。
破產(chǎn)與消失，閃存先鋒Violin破產(chǎn)（2017），后被私有化。Fusion-io、sTec等明星企業(yè)被收購或消失于市場。
國產(chǎn)力量崛起。2016年，長江存儲成立，開啟中國自主3D NAND路線。國家大基金一期至三期持續(xù)投資，助力層數(shù)從32層到232層的跨越。
資本的涌動與退出，是每一次技術變革后的結(jié)構(gòu)重塑。在未來，AI服務器需求爆發(fā)將再次推動產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)，企業(yè)能否適應新需求，決定其存亡。
還有標準推動與融合：從接口到協(xié)議的“隱性戰(zhàn)場”
閃存技術的進步不僅體現(xiàn)在硬件結(jié)構(gòu)，還體現(xiàn)在接口、協(xié)議與生態(tài)融合的深度創(chuàng)新上。這些標準層的演進，決定了閃存與計算、網(wǎng)絡、AI之間的適配能力。
接口標準演進：從SATA到PCIe，再到PCIe 4.0/5.0/6.0，實現(xiàn)千兆級別的并行傳輸。
協(xié)議層躍遷：從AHCI到NVMe，NVMe-oF成為分布式存儲和遠程調(diào)用核心協(xié)議。
CXL的發(fā)展：2019年推出，2023年發(fā)布CMM模塊規(guī)范，支持內(nèi)存池化和跨節(jié)點共享，構(gòu)建下一代AI存儲底座。2024年，CXL 3.1規(guī)范正式發(fā)布，支持多機架間互聯(lián)，眾多廠商積極投入CXL產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)，2025年，AI將推動CXL的應用落地。
此外，RDMA、RoCE等技術也正廣泛集成于閃存網(wǎng)絡系統(tǒng)，使其不僅是存儲設備，更是智能系統(tǒng)的一部分。
最后
回顧閃存半世紀的發(fā)展歷史，是一部由技術驅(qū)動、資本撬動、標準鋪路共同演化的高科技史詩。展望2025年以后，AI智能體、向量計算、認知存儲將帶來更深層次的變革。而每一次變革的背后，仍然是對存儲速度、密度、能效和智能性的永恒追問。
閃存，不再只是”存”，而是”算”與”聯(lián)”的核心支點。
