由中國計(jì)算機(jī)學(xué)會(huì)信息存儲(chǔ)技術(shù)專業(yè)委員會(huì)、中國教育部信息存儲(chǔ)系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和DOIT、存儲(chǔ)在線共同舉辦的2016中國閃存峰會(huì)在京召開，主題為“關(guān)鍵之年，讓閃存綻放”，來自產(chǎn)業(yè)界的眾多嘉賓圍繞閃存技術(shù)本身將如何演變與發(fā)展，以及閃存競(jìng)爭的其它存儲(chǔ)芯片技術(shù)，存儲(chǔ)系統(tǒng)將會(huì)怎樣發(fā)展這些熱點(diǎn)問題進(jìn)行了精彩的分享。

國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院研究員方糧講述了憶阻器概念與發(fā)展趨勢(shì)，以下為整理內(nèi)容：

憶阻器的概念。1971年，華裔教授蔡少棠提出了憶阻器的概念，根據(jù)現(xiàn)有的四種元器件研究而出，無對(duì)應(yīng)器件，僅從理論上做了推導(dǎo)發(fā)表了文章。直到2008年，惠普制作了這樣的器件，測(cè)出了當(dāng)時(shí)蔡教授預(yù)測(cè)的系統(tǒng)，而轟動(dòng)一時(shí)。

蔡少棠教授認(rèn)為，有切換的器件都可以是憶阻器，不管用的是什么材料和結(jié)構(gòu)，它的概念擴(kuò)展非常廣泛。這里會(huì)聽到兩個(gè)概念，一個(gè)是憶阻器，另一個(gè)是阻變存儲(chǔ)器。阻變存儲(chǔ)器用于大容量存儲(chǔ)器，而憶阻器不僅僅是阻變的概念，它可以作為神經(jīng)突觸進(jìn)行熱計(jì)算。功能薄膜加入電壓以后電阻改變，根據(jù)應(yīng)用做優(yōu)化，比如說做存儲(chǔ)器件表現(xiàn)出0，1，做實(shí)際突觸的話需要在電壓對(duì)它的刺激表現(xiàn)出良好的線性，這顯示出了不同的優(yōu)化條件。作為憶阻器來講，存儲(chǔ)密度比較有優(yōu)勢(shì)。

但憶阻器的研究離應(yīng)用的距離稍遠(yuǎn)，目前的研究進(jìn)展很迅速，主要是在機(jī)理、材料和集成化方面。電阻隨著電壓的變化而變化，電壓保持電阻。阻變的機(jī)理，現(xiàn)在有很多不同的模型，還需進(jìn)一步的研究。另外不同的功能材料會(huì)有不同的性能，所以材料方面的研究也很必要，往3D集成的話，可靠性也是一個(gè)很重要的問題。我們做了制備測(cè)試方面的工作，研究電阻的開關(guān)比和耐久性的測(cè)試等基礎(chǔ)工作。

近幾年，很多大公司都在做這方面的研究，32G的器件模型，雖然是2013年的時(shí)候發(fā)布的，但至今并未真正地使用，仍需進(jìn)一步完善。

憶阻器的發(fā)展趨勢(shì)有三方面，在機(jī)理方面需要做更多的研究，以及材料、電極對(duì)器件的性能的影響。理論研究和實(shí)驗(yàn)制備和測(cè)試優(yōu)化有大量的工作。改善RRAM的器件，也會(huì)走向3D集成，可靠性、低噪聲，也是不能回避的問題。多值方面也是共性，器件一個(gè)單元可以存儲(chǔ)多位，這在經(jīng)濟(jì)上有很好的作用。

憶阻器除了存儲(chǔ)還有更多的應(yīng)用領(lǐng)域，神經(jīng)突觸器件，現(xiàn)在很多的研究發(fā)現(xiàn)大腦里面的神經(jīng)突觸，其實(shí)憶阻的效應(yīng)和腦電波的刺激是有關(guān)系的。通過建模做內(nèi)腦計(jì)算，這是目前熱門的研究領(lǐng)域。器件的使用要求很多，室溫下，電壓要低一點(diǎn)，穩(wěn)定性比較好，保持時(shí)間要足夠長，次數(shù)要足夠多，這是高密度集成和高密度讀寫。

憶阻器單元結(jié)構(gòu)簡單，具有高集成度、低功耗特點(diǎn)。機(jī)理不夠清晰，機(jī)理有待于研究。多值器件的材料正在做廣泛的研究，很多的廠商非常關(guān)注，3D樣片已經(jīng)有了。除了存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用以外，其在類腦的計(jì)算方面也將有更多的應(yīng)用和進(jìn)展。

崔歡歡