多芯片封裝產(chǎn)品成市場主流
多芯片封裝(MCP)技術(shù)可以將FLASH、DRAM等不同規(guī)格的芯片利用系統(tǒng)封裝方式整合成單一芯片，生產(chǎn)時間短、制造成本低，且具低功耗、高數(shù)據(jù)傳輸速率等優(yōu)勢，已經(jīng)是便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存產(chǎn)品最主要的規(guī)格。另外，數(shù)字電視、機頂盒、網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品等也已經(jīng)開始采用各式MCP產(chǎn)品。
2004年，MCP的全球需求量由2003年的2.3億塊增長到3.4億塊，增長了47.8%。預(yù)計2005年全球需求量將達到4.2億塊。包括Samsung、Hynix、Intel等重量級IC廠商都紛紛看好此市場前景，競相推出相關(guān)產(chǎn)品。目前Renesas的嵌入式存儲器出貨量中大約90%是MCP，Spansion公司無線市場上存儲器的出貨量80%也是MCP，而兩年前這一比例只有30%。
SRAM發(fā)展面臨挑戰(zhàn)
針對不同的應(yīng)用市場，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展；另一個是降低功耗，以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用市場。
2004年，手機等移動終端市場對SRAM的需求約占總需求的50%左右，另有30%左右的SRAM產(chǎn)品被通信市場消化。
未來SRAM市場的增長將是平穩(wěn)和漸進的。這種特點一方面與其所服務(wù)的應(yīng)用市場的發(fā)展有關(guān)，更重要的一點是傳統(tǒng)的SRAM技術(shù)正在受到其他競爭性的DRAM技術(shù)的沖擊。例如，在高速網(wǎng)絡(luò)方面，F(xiàn)CRAM和RLDRAM技術(shù)正在相互競爭中快速成長；在便攜式應(yīng)用領(lǐng)域，諸如CellularRAM與Mobile FCRAM等PSRAM產(chǎn)品也正在逐漸擠壓原先由SRAM獨占的低功耗應(yīng)用空間。
DDR2成主流尚需時日
在2004年第二季度舉辦的Intel信息技術(shù)峰會(IDF)上，許多DRAM廠商都推出了DDR2產(chǎn)品的樣片，但是，DDR2成為市場主流還需要時日。目前，DDR2產(chǎn)品的價格還很高。而DDR2產(chǎn)品價格偏高主要因素有以下幾個方面：首先，因為DDR2器件尺寸的增加，每個晶圓上生產(chǎn)出更少的器件；其次，DDR2采用了成本較高的BGA封裝和速度更快的測試，也增加了成本。通常，產(chǎn)品在進入市場的前6個季度都會存在價格偏高的現(xiàn)象，隨著技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)量的增加，DDR2產(chǎn)品的價格將會不斷下降?？傊珼DR和DDR2產(chǎn)品還必然會在市場上并存很長一段時間。
手機成技術(shù)發(fā)展推動力
手機正在取代PC成為高密度半導體存儲器的技術(shù)驅(qū)動器，而且很可能在未來幾年主導存儲器市場的發(fā)展。隨著市場從簡單的語音終端轉(zhuǎn)向功能電話、智能電話及移動媒體網(wǎng)關(guān)，這種小型的設(shè)備已經(jīng)具備操作系統(tǒng)及文件系統(tǒng)。
為了滿足這種市場需求，一場競爭已經(jīng)在四種產(chǎn)品中展開：目前用于保存易失數(shù)據(jù)的DRAM存儲器，用于代碼存儲的NOR FLASH，試圖提高速度以超越附加卡應(yīng)用的NAND FLASH，以及已經(jīng)在一些功能電話中出現(xiàn)的微型硬盤。
在2004年Electronica展覽會上，Samsung發(fā)布了采用90納米工藝的1Gb OneNAND。這種帶有一個NOR接口的NAND閃存具有高達5Kb的內(nèi)部緩存RAM，它能提供100 Mbps的恒定讀取速率，這比現(xiàn)有的NAND FLASH快4倍。M-Systems提供了基于NAND的固態(tài)磁盤仿真硬件。該產(chǎn)品可以將媒體數(shù)據(jù)直接寫入系統(tǒng)，而不必將其在DRAM中進行緩存，可以減少系統(tǒng)中DRAM的數(shù)量。Spansion聲稱將把其NOR MirrorBit FLASH發(fā)展成與普通NAND FLASH具有相同密度和價位水平的產(chǎn)品，同時提供更快的速度和更高的可靠性。
數(shù)字電視將成市場第二推動力
在消費性電子市場里，由于數(shù)字電視采用密度相對較高的DRAM，一旦數(shù)字電視開始大量出貨時，它將很有可能成為影響DRAM市場的重要因素。
數(shù)字電視用存儲器基本上與其分辨率和顯示屏幕大小有關(guān)。由于影像處理需大量數(shù)據(jù)傳輸與運算，因此數(shù)字電視使用內(nèi)存密度大約在2Mb到16Mb這個范圍。一般而言，分辨率愈高、屏幕面積愈大，所需的內(nèi)存密度也愈高。在某些高端數(shù)字電視機里，DDR DRAM也被采用。
手機存儲器容量攀升
手機里的存儲器大多使用LP SRAM，因為SRAM比DRAM省電。但是隨著未來手機、PDA等產(chǎn)品的分界線越來越模糊，手機上的功能也越來越多，這將使手機對存儲器容量的需求逐漸攀升。在容量提升方面有所限制的LP SRAM將逐漸被淘汰。1T SRAM及LP DRAM在容量方面都比LP SRAM高，而1T SRAM消耗的電量比較少，所以1T SRAM在手機上使用的優(yōu)勢又相對較高。此外，廠商為了節(jié)省空間，也會將LP SRAM及NOR FLASH以多芯片封裝的方式封裝成一個堆棧式內(nèi)存芯片。未來，若存儲器二線廠商打算進入手機用存儲器市場，最好先與提供手機用FLASH的國際大廠合作；若選擇采用二線廠商或用自產(chǎn)的FLASH芯片，則建議以低價策略取得與手機廠商合作的機會。
直銷與分銷模式長期并存
中國除了聯(lián)想、方正這些PC制造大廠外，還有大量二線廠商以及遍及全國各地的DIY用戶。另外，像深圳的記憶科技和南方高科等本土DRAM模組廠商的規(guī)模也不斷壯大，因此，除了大訂單的合約客戶需求以外，還有大量的現(xiàn)貨市場需求。
在數(shù)字消費領(lǐng)域，除了華旗資訊、聯(lián)想、朗科、中科存儲等品牌廠商外，還有像臺均這樣的大型OEM廠商。另外，在深圳、東莞一帶分布著數(shù)以百計的MP3、移動存儲器廠商。
為滿足多層次的市場需求，未來中國半導體存儲器營銷渠道必將是針對大客戶的直銷與面向眾多小客戶的分銷并存。
供貨水平成客戶關(guān)注點
隨著IT市場競爭的不斷加劇，如何能夠及時針對市場需求變化特點，提供適銷對路的產(chǎn)品至關(guān)重要。對于存儲器廠商來說，及時、快速的供貨能力是市場競爭成敗的關(guān)鍵所在。
越來越多的半導體存儲器廠商加大了對中國半導體存儲器市場的開拓力度。未來幾年，存儲器市場朝渠道扁平化方向發(fā)展。更多的存儲器廠商將加大進入中國市場的力度，通過與本地集成電路廠商、本土存儲器模組廠商以及本地渠道商的合作，提高供貨水平。
專業(yè)分工越來越強
從未來幾年中國半導體存儲器市場的發(fā)展趨勢來看，專業(yè)化的分工越來越明顯，存儲器廠商將專注于上游芯片供應(yīng)商的角色，將更多的存儲器模組、渠道、服務(wù)等環(huán)節(jié)外包給其他廠商。
DRAM廠商除了提供DRAM芯片，還向OEM客戶提供DRAM內(nèi)存模組。隨著KINGSTON、KINMAX等內(nèi)存模組廠商的不斷壯大，其在銷售渠道、品牌知名度、售后服務(wù)等方面具有很強的優(yōu)勢。此外，像記憶科技、南方高科等本土內(nèi)存模組廠商憑借本地化運作優(yōu)勢，在中國OEM以及品牌電腦市場獲得了很高的市場份額。
2005年我國市場FLASH一枝獨秀
消費與汽車電子領(lǐng)域未來增長最快
2005年全球筆記本電腦產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移速度趨緩，中國筆記本電腦和移動電話的產(chǎn)量增速也逐漸放緩，因此預(yù)計半導體存儲器市場規(guī)模增速也放緩，由2004年的43.4%降低為2005年的20.7%。在隨后的兩年里，由于微軟新的操作系統(tǒng)的發(fā)布帶來的更換機器新潮流、中國汽車電子的高速發(fā)展以及泛網(wǎng)社會的到來，都給半導體存儲器市場帶來大量需求，預(yù)計市場增速在2007年達到高峰，為37.6%，市場規(guī)模達到1169.7億元，而2008年以后，市場增長逐漸放緩，呈現(xiàn)平穩(wěn)增長態(tài)勢。
中國DRAM市場的需求主要來自臺式PC及筆記本電腦。隨著未來幾年中國PC以及筆記本電腦產(chǎn)業(yè)增長放慢，對DRAM的市場需求也逐漸放緩。雖然DDR2 SDRAM逐漸成為主流，微軟Longhorn操作系統(tǒng)即將推出，都使市場增長產(chǎn)生一個跳躍，但DRAM市場終將因為缺少新的增長點，在2007年以后增速再次放緩，在2009年達到873.3億元。
在未來的幾年中，F(xiàn)LASH市場會在移動電話、數(shù)碼相機、移動存儲器、MP3和數(shù)碼攝像機的帶動下高速增長。預(yù)計未來幾年，F(xiàn)LASH市場將以超過20%的增長速度高速增長，并在2009年達到759.4億元。
移動電話是SRAM的最大需求領(lǐng)域，未來幾年，隨著手機功能的增強，為了縮小體積，越來越多的SRAM被內(nèi)置進FLASH，同時還受到SRAM接口、DRAM內(nèi)核和PSRAM的沖擊，預(yù)計未來幾年SRAM市場不會有較大發(fā)展。
EEPROM、EPROM、MASK ROM則受到低密度FLASH價格降低的沖擊，市場規(guī)模增幅不大。而FLASH MCU的大量使用也會降低對EEPROM、EPROM、MASK ROM的市場需求。另外，F(xiàn)RAM、PFRAM及OUM等新型存儲器芯片將會有所發(fā)展，但受到價格高、廠商使用習慣等因素影響，未來幾年仍不會對DRAM、FLASH的市場有多少影響，短期內(nèi)市場占有率不會出現(xiàn)太大增長。
