IBM希望實現(xiàn)12原子構(gòu)成的存儲模塊

那些原子可以通過掃描隧道顯微術(shù)來控制，整個工作需要在一定的低溫環(huán)境下進行。只有在低于Néel溫度下才會出現(xiàn)抗磁效應(yīng)，具體溫度隨所用材料的不同而不同。 在Neel溫度以上，抗磁效應(yīng)就消失了。Néel溫度是以開氏溫度定義的，在開氏溫度中，水的冰點溫度為273.15K。

由于抗磁效應(yīng)的存在，一個原子的磁矩會指向與相鄰原子相反的方向，一組原子都表現(xiàn)出這種行為就會構(gòu)成一種有序的圖案。磁矩通常會受到原子中的電子的自旋的影響，如果改變電子的自旋方向，就可以改變磁矩。IBM的科學家們利用這種效應(yīng)開發(fā)出了抗磁存儲技術(shù)。

IBM表示，利用這種技術(shù)儲存的數(shù)據(jù)量是傳統(tǒng)硬盤儲存的數(shù)據(jù)量的100倍，這里指的是媒體表面存儲密度而非硬盤外殼。這是一項振奮人心的成績，但是還需20年才能被應(yīng)用于實際生產(chǎn)。 這項技術(shù)非常吸引人，但是從產(chǎn)品角度來說，它在很長很長一段時間里都不可能實現(xiàn)。

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