全球內(nèi)存市場三巨頭三星、海力士和美光牢牢控制著90%以上的內(nèi)存市場，不過也正是由于他們具有這么典型的行業(yè)寡頭特點，所以任何風吹草動都逃不過外界觀察和評論。

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內(nèi)存市場壟斷局面有望被打破

據(jù)DRAMeXchange報道，全球內(nèi)存市場供貨量將降低，這將刺激內(nèi)存廠商在2014年第四季度擴大產(chǎn)能。

2015年供給量將增長30%，如此之大的需求可能會對幾大廠商的主導(dǎo)地位形成挑戰(zhàn)，尤其是美光，問題主要在于出貨量的給市場造成供大于求的局面，這在一定程度上縮小了制造商的利潤空間。

如果美光的業(yè)務(wù)面臨中斷，這將對美光兩大股東安碩費城半導(dǎo)體ETF(SOXX)和若Market Vectors ETF半導(dǎo)體(SMH)造成不利影響。

三星對美光形成的壓力

2014年3月，三星開始大批量生產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的動態(tài)DRAM。該技術(shù)的運用也將降低生產(chǎn)DDR3內(nèi)存的制造成本，這將無疑將使得三星繼續(xù)在業(yè)內(nèi)保持優(yōu)勢。

如上圖所示，三星是業(yè)內(nèi)唯一一家表示其S3工廠將大幅縮減DRAM生產(chǎn)規(guī)模的公司。三星計劃于2014年年底重啟DRAM晶圓的生產(chǎn)，主要生產(chǎn)用于PC端的DRAM晶圓。2015年下半年，三星預(yù)計其S3工廠每月的DRAM產(chǎn)能將達到60k。

作為應(yīng)對，美光和里還是都宣布計劃擴大產(chǎn)能。現(xiàn)階段美光的產(chǎn)量占據(jù)PC端DRAM整體的25%。如表中所示，美光正集中在高增長的，移動端的、服務(wù)器的以及網(wǎng)絡(luò)市場。

20nm支撐技術(shù)具有經(jīng)濟性和能效性

三星宣稱其生產(chǎn)的采用20nm工藝的4GB DDR3 DRAM比采用25nm制程的要高30%的生產(chǎn)效率，比采用30nm工藝的生產(chǎn)效率高出一倍。此外，20nm制程與25nm制程相比可節(jié)省25%的能耗。

美光現(xiàn)在生產(chǎn)DDR3 DRAM的生產(chǎn)工藝還停留在30nm，這在生產(chǎn)成本劣勢很大。美光也非常熱衷于從25nm制程遷移到20nm制程。2014年第二季度，美光的20nm制程的產(chǎn)品出貨量超過50%。20nm的NAND閃存產(chǎn)品比25nm的生產(chǎn)成本要低很多，可顯著減少生產(chǎn)成本。

三星率先在DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)中采用20nm技術(shù)將對美光形成很大壓力。盡管美光在DRAM市場占據(jù)很重要的位置，但從價格和市場都面臨著很大優(yōu)勢。