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性能規(guī)格及工藝設(shè)計

wangfei 發(fā)表于:14年07月25日 09:42 [編譯] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]Fusion-io ioDrive 2Duo是一款整高半長應(yīng)用加速器,如果與SLC NAND配套使用,它可以為目前需求最高的應(yīng)用提供1.2TB的低延遲、高耐久存儲。

Fusion ioDrive 2 Duo的性能規(guī)格

IoDrive 2 Duo(SLC版)的容量為1.2TB

???? 讀帶寬(1MB)3.0GB/s

???? 寫帶寬(1MB)2.5GB/s

???? 隨機(jī)讀數(shù)據(jù)IOPS(512B)700000

???? 隨機(jī)寫數(shù)據(jù)IOPS(512B)1100000

???? 隨機(jī)讀數(shù)據(jù)IOPS(4K)580000

???? 隨機(jī)寫數(shù)據(jù)IOPS(4K)535000

???? 讀訪問延遲時間47?s

???? 寫訪問延遲時間15?s

2x納米NAND閃存 單級單元(SLC)

總線接口PCI-Express 2.0x8電子x8物理

重量:小于11盎司

外形尺寸:全高半長(FHHL)

保修期:5年或最長可用壽命

耐久性:190PBW(每控制器95PBW)

支持的操作系統(tǒng)

???? 微軟Windows:64位Windows Server 2012,Windows Server 2008 R2,Windows Server 2008,Windows Server 2003

???? Linux RHEL 5/6;SLES 10/11;OEL 5/6;CentOS 5/;Debian Squeeze;Fedora 16/17;openSUSE 12;Ubuntu 10/11/12

???? UNIX Solaris 10/11x64;OpenSolaris 2009.06x64;OSX 10.6/10.7/10.8

???? Hypervisors VMware ESX 4.0/4.1/ESXi 4.1/5.0/5.1,Windows 2008R2配Hyper-V,Hyper-V Server 2008R2

設(shè)計和工藝

Fusion ioDrive 2Duo 1.2TB SLC是一款全高半長(FHHL)x8PCI-Express 2.0閃存卡,主電路板上配有兩個控制器和一個PCIe開關(guān)。NAND閃存通過兩個子插件電路板配備,這樣Fusion就在產(chǎn)品生產(chǎn)上獲得了較大的靈活性,因為它可以輕松換用新的NAND配置。 光刻技術(shù)升級的時候,F(xiàn)usion-io不用重新設(shè)計閃存卡,只要在現(xiàn)場可編程門陣列上換一個新的子插件電路板和閃存固件就行了。我們的SLC版ioDrive 2Duo由兩塊600GB的ioMemory設(shè)備組成,每個ioMemory設(shè)備使用4條PCIe線路。 進(jìn)程控制模塊的布局也非常高效,閃存卡右側(cè)配備了一個龐大的被動降溫模塊來給兩個控制器降溫。


每個控制器代表一塊ioDrive 2,它自己配備了40納米Xilinx Virtex-6現(xiàn)場可編程門陣列和768GB的SLC NAND閃存池。我們測試的這款ioDrive 2 Duo使用的是美光科技的NAND,但是Fusion-io的產(chǎn)品是兼容所有廠商的NAND產(chǎn)品的。 NAND閃存被分割成最多24個32GB的芯片,在備用格式下的可用容量為600GB。據(jù)此計算,備用預(yù)備水平為22%,與大多數(shù)企業(yè)閃存設(shè)備的備用預(yù)備水平差不多。


Fusion ioMemory與NAND閃存的對接就象處理器與系統(tǒng)內(nèi)存之間的對接一樣,它使用了Fusion-io的NAND控制器(現(xiàn)場可編程門陣列),后者可直接通過PCIe通訊,F(xiàn)usion-io的驅(qū)動器或虛擬存儲器層(VSL)軟件安裝在主系統(tǒng)上,它可以將Fusion-io的閃存卡當(dāng)做傳統(tǒng)的存儲塊設(shè)備來對待。通過Fusion-io的VSL軟件,它可以模擬存儲塊設(shè)備來實(shí)現(xiàn)兼容性,同時Fusion-io還提供了一款SDK(軟件開發(fā)工具包),以便第三方軟件廠商繞過模擬技術(shù)實(shí)現(xiàn)與NAND閃存的本地互聯(lián)。 從消耗的系統(tǒng)資源的角度來看,IoMemory也跟傳統(tǒng)的解決方案很不一樣。它使用了主機(jī)CPU,同時還在系統(tǒng)內(nèi)存中創(chuàng)建了一個足跡。從產(chǎn)品支持的角度來說,由于Fusion-io使用現(xiàn)場可編程門陣列而非ASIC作為NAND控制器,它們只需部署極低水平的軟件升級就能解決漏洞修復(fù)和提升性能的問題。 相比之下,標(biāo)準(zhǔn)的固態(tài)存儲控制器只能通過開發(fā)新的控制器來實(shí)現(xiàn)根本性的升級,但是這兩種設(shè)計都能通過固件升級來實(shí)現(xiàn)高級調(diào)整。

VSL 3.2.2帶來的其中一項升級是增加了一項新的控制器功能。以前,每一個IoMemory設(shè)備在主系統(tǒng)中都被當(dāng)作一個單一的設(shè)備來對待。 在Fusion最新版的VSL中,控制器被分成了兩個設(shè)備,以雙管道的方式來運(yùn)行。因此并不是一個LUN對應(yīng)ioDrive 2而兩個LUN對應(yīng)ioDrive 2Duo,它們分別對應(yīng)的是2個和4個LUN。 在對新舊兩種布局進(jìn)行測試時,我們發(fā)現(xiàn),盡管我們所有的正式標(biāo)準(zhǔn)測試只在VSL 3.2.2中進(jìn)行過測試,但新布局極大地提高了小I/O性能。


在將Fusion ioMemory設(shè)備與其他的PCIe產(chǎn)品進(jìn)行對比時,耗電量是另一個經(jīng)常被關(guān)注的話題,因為它是少數(shù)幾個配備外接電源的設(shè)備之一。這同樣適用于Duo系列產(chǎn)品,因為它們實(shí)際上就是由兩個IoMemory設(shè)備和1個PCIe卡組合而成。 在這些情況下,滿負(fù)荷運(yùn)行這些設(shè)備,它們的功率就會達(dá)到25瓦以上,而那正是x8PCIe的最小額定功率。Fusion-io考慮從兩個方面解決功率的問題,即外接電源線或功率超負(fù)荷,那會通過一個x8PCIe插槽將耗電量提高25%。 我們測試的是安裝在聯(lián)想ThinkServer RD 630中的一款ioDrive 2 Duo SLC,我們在電源超負(fù)荷狀態(tài)下執(zhí)行了所有的標(biāo)準(zhǔn)測試,全程沒有使用外接電源。Fusion-io在硬件安裝說明書中指出,如果主服務(wù)器的額定功率為55瓦,則軟件超負(fù)荷就能安全地啟動。

[責(zé)任編輯:朱朋博]
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