英特爾在2013國際超算大會(SC 13)上宣布，為提升受到內(nèi)存限制的工作負(fù)載的運(yùn)行速度，英特爾計劃為Xeon處理器堆棧一層內(nèi)存，目前相關(guān)工作正在進(jìn)行當(dāng)中。

根據(jù)EE Times的一份報道顯示，英特爾數(shù)據(jù)中心集團(tuán)的副總裁兼總經(jīng)理Rajeeb Hazra表示，英特爾將提供高端的Xeon處理器和Xeon Phi協(xié)處理器定制業(yè)務(wù)，通過增加內(nèi)存模塊至處理器封裝系統(tǒng)，而后將內(nèi)存模塊層連同電子元件及轉(zhuǎn)換器共同集成至處理器的方法，為這二類處理器實(shí)現(xiàn)內(nèi)存集成。

同時，他還宣稱代號為Knights Landing的下一代Xeon Phi協(xié)處理器將具備十個核心，并且也將實(shí)現(xiàn)嵌入式內(nèi)存集成。在Xeon處理器封裝中添加堆棧內(nèi)存模塊的概念在此時也已經(jīng)對外公布。

在3D封裝中納入內(nèi)存模塊和入處理器的做法被英特爾歸類為“近內(nèi)存”，這與DDR DRAM的“遠(yuǎn)內(nèi)存”概念截然相反。“近內(nèi)存”可以提供更快的數(shù)據(jù)訪問速度。

Hamza表示：“我們正在尋找各種新式的集成方式，包括集成互連的部分組件，以及將下一代的存儲和內(nèi)存更密切的集成進(jìn)處理器芯片。”

芯片內(nèi)的內(nèi)存地址空間可以被視作高速緩存或作為一個平面內(nèi)存空間，或者是二者的結(jié)合。程序員們需要對應(yīng)用程序作出相應(yīng)的修改，才能使用這類與CPU相鄰的平面內(nèi)存空間，并與普通的DRAM內(nèi)存區(qū)別開來。

不過，封裝集成式內(nèi)存的容量將受到封裝內(nèi)物理空間的限制，因此我們不能完全用這類“近內(nèi)存”來取換替代傳統(tǒng)的“遠(yuǎn)內(nèi)存”產(chǎn)品。

此外，這類封裝式內(nèi)存堆棧將僅面向特殊客戶群，據(jù)悉應(yīng)該是一些大型客戶，如谷歌、Facebook或亞馬遜等等，并將因此與傳統(tǒng)的X86標(biāo)準(zhǔn)相背道而馳。與此同時，為將數(shù)據(jù)從“遠(yuǎn)內(nèi)存”遷移至“近內(nèi)存”(或從“近內(nèi)存”遷移至“遠(yuǎn)內(nèi)存”)，其還需要對數(shù)據(jù)進(jìn)行遷移或?qū)�軟件進(jìn)行分層布置。