閃存有三種類型。單層單元（SLC）閃存的每個(gè)單元存儲(chǔ)1比特，是最快也是最貴的閃存。它的問題在于在它的PE（編程/擦除）周期次數(shù)有限。

每單元2比特的閃存被稱為MLC（多層單元）閃存。它的容量比SLC閃存高，但是速度慢，盡管價(jià)格更便宜些，而且工作壽命也更短。三比特的閃存被稱為TLC（三層單元閃存）。TLC比MLC更便宜、更慢，壽命也更短。TLC用于數(shù)碼相機(jī)以及類似的PE周期在2500次以下也可以接受的場合。

過量配置可以延長閃存的耐久性，可以將空閑的未使用的單元代替已經(jīng)損耗殆盡的單元。我們還有一個(gè)問題。提高閃存單位密度的唯一方式就是縮小單元尺寸。不過，隨著我們這樣做，從40納米單元尺寸（49-40納米范圍）到30納米范圍到20納米范圍以至更小，閃存單元的耐久度也隨之下降。如今最新的閃存是16納米制程。也許廠商會(huì)推出更小的迭代，但是某種形式的NAND晶圓堆棧，也就是一個(gè)堆一個(gè)，將有它的必要性。三星已經(jīng)宣布自己的3D V-NAND驅(qū)動(dòng)器。

閃存記憶體晶圓

臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器的閃存記憶體一般是封裝在磁盤驅(qū)動(dòng)器大小的機(jī)盒內(nèi)——通常是2.5英寸——并被稱為SSD（固態(tài)驅(qū)動(dòng)器）。它使用磁盤的訪問接口，SATA或SAS。

使用閃存記憶體的計(jì)算機(jī)可以在數(shù)毫秒時(shí)間內(nèi)訪問數(shù)據(jù)，而磁盤驅(qū)動(dòng)器需要數(shù)微秒，因?yàn)榇疟P的讀取頭必須先被移動(dòng)到正確的軌道。因此，使用閃存的計(jì)算機(jī)可以更快地運(yùn)行應(yīng)用程序，在虛擬化的服務(wù)器中支持更多的虛擬機(jī)。

另一個(gè)提供閃存的方式是將它直接連到內(nèi)部的PCIe插槽，這可以提供更快的數(shù)據(jù)訪問速度，因?yàn)椴恍枰�磁盤I/O轉(zhuǎn)換。這種PCIe閃存卡記憶體正在快速發(fā)展。鎂光將在明年推出16TB版本。

SSD或卡形式的閃存，比如Violin Memory的VIMM，可以被用于創(chuàng)建網(wǎng)絡(luò)純閃存陣列。這種陣列的訪問速度比硬盤驅(qū)動(dòng)器更快，只需要后者十分之一或者更少的物理空間，耗電也只有后者的十分之一。系統(tǒng)可以用重復(fù)數(shù)據(jù)刪除技術(shù)來提高有效容量，并提供媲美磁盤驅(qū)動(dòng)器陣列的單位GB成本。

磁盤驅(qū)動(dòng)器陣列制造商們現(xiàn)在使用SSD來存儲(chǔ)最活躍的數(shù)據(jù)，在控制器中使用閃存高速緩存來加快數(shù)據(jù)訪問。有可能目前存儲(chǔ)在磁盤驅(qū)動(dòng)器陣列中的主數(shù)據(jù)將來會(huì)慢慢遷移到純閃存陣列。

磁盤驅(qū)動(dòng)器將用于存儲(chǔ)二級或近線數(shù)據(jù)。將閃存用于主數(shù)據(jù)并將磁盤用于二級數(shù)據(jù)的復(fù)合式陣列可以在純閃存陣列和純磁盤陣列之間提供一個(gè)過渡點(diǎn)。這種陣列的價(jià)格低于純閃存陣列，速度快于純磁盤那陣列，同時(shí)仍然提供磁盤級的容量。

隨著時(shí)間流逝，閃存技術(shù)也將退出主流并被其他技術(shù)所取代。目前，相變記憶體和電阻式RAM（隨機(jī)存取記憶體）都被看作是潛在的候選技術(shù)。這兩種技術(shù)都提供接近DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體）的速度，完全的隨機(jī)訪問和非易失性。

過去，磁帶是在相當(dāng)于紙上打一個(gè)孔的面積上承載一個(gè)比特，現(xiàn)在同樣的面積可以承載MB或GB的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)過去需要英寸級或厘米級的面積來存儲(chǔ)看得見的比特?cái)?shù)據(jù)。現(xiàn)在，它在納米級的范圍內(nèi)存儲(chǔ)看不見的比特，而且速度快到我們幾乎無法理解它們。

如果我們要繼續(xù)推動(dòng)計(jì)算機(jī)的使用，存儲(chǔ)就必須更快、更小、更便宜和更可靠。我們現(xiàn)在既是處在計(jì)算機(jī)時(shí)代，也是處在存儲(chǔ)時(shí)代。

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