憶恒創(chuàng)源：演繹自己的閃存道路
DOIT原創(chuàng) 崔昊 發(fā)表于：13年06月24日 21:50 [原創(chuàng)] DOIT.com.cn
DOSTOR存儲在線 原創(chuàng)報道： “最近十年來，CPU的性能提高了100多倍，內(nèi)存的性能也提高了幾十倍，只有硬盤，僅僅提高了兩倍，現(xiàn)在數(shù)據(jù)中心的瓶頸就在硬盤上，我們希望通過我們的產(chǎn)品改變數(shù)據(jù)中心。”兩年前，憶恒創(chuàng)源聯(lián)合創(chuàng)始人殷雪冰在創(chuàng)新中國DEMO CHINA 2011 杭州總決賽上說出了這番話，在這次演講的最后，還處在創(chuàng)業(yè)初期的殷雪冰說：“我們希望借助資本的力量，借助各種各樣的資源，做出世界級的企業(yè)。”
現(xiàn)在，殷雪冰與他的團隊創(chuàng)建出來的憶恒創(chuàng)源(Memblaze)已經(jīng)成為中國存儲行業(yè)必須要關注的一家企業(yè)，雖然離世界級的企業(yè)仍有一定距離，但這家公司所設計、制造并付諸實際應用的Memblaze系列PCIe閃存卡，在多家國內(nèi)知名互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)中的應用已經(jīng)證明了其所具有的優(yōu)異而又獨特的價值。
自2007年開始認識到NAND Flash存儲市場的巨大商機，并在2010年開始將這一預測付諸實施以來，首先且堅持采用Device-Based架構(gòu)的PCIe閃存卡的憶恒創(chuàng)源，如今已經(jīng)形成相對完善的產(chǎn)品布局，并在2013年初推出了創(chuàng)新性的“琴鍵”設計，其顛覆性的38種容量設計，在2013年英特爾信息技術峰會的現(xiàn)場一經(jīng)展出，就成為了微博上IT圈子最火熱的話題。
2013年憶恒創(chuàng)源的新產(chǎn)品被稱為PBLAZE III，這已經(jīng)是這家初創(chuàng)公司的短短3年時間里的第三代產(chǎn)品，從全高到半高，PBLAZE III以順序讀/寫帶寬3.2GB/s和2.5GB/s的速度成為當下PCIe閃存卡市場里的佼佼者，而更具突破性的15μs(緩存寫入)延時以及50%甚至更低的CPU占有率、1MB的內(nèi)存消耗，成為其標志性的Device-Based架構(gòu)設計的優(yōu)秀成果。
“琴鍵”設計就出現(xiàn)在這一代PBLAZE III上，不曾焊接在PCB板上的閃存顆粒與其著名的Fusion-io相同，通過可選擇的模塊來連接，而借助不同容量的閃存模塊——被稱之為M3、M4、M5、M6等等——的不同排列組合(不僅是容量，事實上也可能是不同品牌的閃存顆粒)，38款不同容量的PBLAZE III就此誕生，而與此同時誕生的，還有425GB、575GB、750GB、1025GB、1175GB等等差異化明顯的PCIe閃存卡容量。
這在憶恒創(chuàng)源被稱之為競爭對手的多家PCIe閃存卡廠商中不曾出現(xiàn)，我們見到的多是整數(shù)(或者說是100GB倍數(shù))的產(chǎn)品，而更不曾出現(xiàn)的，還有上面所說的Device-Based架構(gòu)以及更低的處理器占有率、內(nèi)存消耗與穩(wěn)定的、抖動現(xiàn)象不明顯的數(shù)據(jù)表現(xiàn)——這一切的實現(xiàn)，都來自于殷雪冰和他的伙伴、團隊一起所做出的創(chuàng)造性設計以及對NAND Flash存儲市場的傾力投入。
而這也引發(fā)了在第五屆中國云計算大會上，DOIT記者與殷雪冰長達一小時的對話，在這場對話中，我們談論了憶恒創(chuàng)源引以為傲的Device-Based架構(gòu)，討論了憶恒創(chuàng)源眼中的“英雄”與“競爭對手”，以及作為一家初創(chuàng)企業(yè)，憶恒創(chuàng)源38種琴鍵技術背后的原因和這家公司未來可能的技術走向。
