名詞解釋:MRAM
DoSTOR 發(fā)表于：05年05月20日 11:07 [原創(chuàng)] DOIT.com.cn
（Magnetic Random Access Memory）是一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器，所謂“非揮發(fā)性”是指關(guān)掉電源后，仍可以保持記憶完整，功能與FLASH雷同；而 “隨機存取”是指中央處理器讀取資料時，不一定要從頭開始，隨時可用相同的速率，從內(nèi)存的任何部位讀寫信息。 MRAM運作的基本原理與硬盤驅(qū)動器相同。和在硬盤上存儲數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方向為依據(jù)，存儲為 0或 1。它存儲的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場影響之后，才會改變這個磁性數(shù)據(jù)。它的速度與我們 PC所使用的內(nèi)存相比更接近使用 GMR技術(shù)的，一般都有 25至 100n s，它擁有靜態(tài)隨機存儲器（Static Random Access Memory， SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
MRAM是在 80年代初首次提出的。在 1994年，美國 Honeywe ll公司研發(fā)了一種使用巨磁阻（Giant Magneto Resistive， GMR）薄膜技術(shù)的 MRAM，并投入了生產(chǎn)。不過，由于它的讀取寫入時間過長并且集成度低，所以應用只局限于太空和軍事領域。近年來， MRAM再度發(fā)展起來，并以取代 DRAM裝置為目標。
與現(xiàn)有的快閃內(nèi)存（FLASH）、靜態(tài)隨機存取內(nèi)存（SRAM）、動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）相比， MRAM性能都是非常優(yōu)秀的。
根據(jù)美國專業(yè)半導體研究機構(gòu) EDN分析，如將 MRAM與 DRAM、 SRAM、 FLASH等內(nèi)存做比較，在“非揮發(fā)性”特色上，目前僅有 MRAM及 FLASH具此功能；而在“隨機存取”功能上，則 FLASH欠缺此項功能，僅 MRAM、DRAM、SRAM具備隨機存取優(yōu)點。
就“讀取速度”而言， MRAM及 SRAM的速度最快，同為 25～100n s，不過， MRAM仍比 SRAM快； DRAM則為 50～100n s，屬于中級速度；相較之下， FLASH的速度最慢。
在寫入次數(shù)上， MRAM、 DRAM以及 SRAM則都屬同一等級，約可寫入無限次的記憶，而 FLASH則只約可寫入106次。至于“芯片面積”的比較， MRAM與 FLASH同屬小規(guī)格的芯片，所占空間最��； DRAM的芯片面積則是屬于中等規(guī)格，SRAM更是屬于大面積規(guī)格的芯片，其所占的空間最大。
在嵌入式設計規(guī)格方面，DRAM、SRAM、FLASH同屬良率低、須增加芯片面積設計規(guī)格；而 MRAM則是擁有性能高、不須增加芯片面積的特殊設計。
最后在耗電量相比較，只有MRAM以及 SRAM擁有低耗電的優(yōu)點， FLASH則是屬于中級的耗電需求，至于 DRAM更是具有高耗電量的缺點。
