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北京時(shí)間8月3日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星今天宣布，該公司已經(jīng)收購美國(guó)MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)廠商Grandis。

Grandis的非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)是DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和NAND閃存未來的競(jìng)爭(zhēng)者，芯片能耗更低，性能更高。但是，目前大規(guī)模制造MRAM芯片的成本過高。

三星稱，Grandis將被整合到研發(fā)部門中。三星相關(guān)研發(fā)部門“專注于開發(fā)新一代存儲(chǔ)技術(shù)，評(píng)估新型半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)期商業(yè)價(jià)值”。

三星和Grandis沒有披露這一交易進(jìn)一步的詳細(xì)資料。Grandis成立于2002年，有約25名員工，尚未發(fā)售一款產(chǎn)品

Grandis業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁亞歷克斯•德利斯科爾-史密斯(Alex Driskill-Smith)表示，通過去年與Hynix Semiconductor達(dá)成的開發(fā)協(xié)議，該公司生產(chǎn)出了首款54納米芯片。Grandis預(yù)計(jì)，未來5年該公司的生產(chǎn)工藝將發(fā)展到20納米，甚至更先進(jìn)。

Grandis的MRAM技術(shù)比傳統(tǒng)技術(shù)更先進(jìn)。傳統(tǒng)MRAM芯片的工藝一直是99納米。

據(jù)德利斯科爾-史密斯稱，與廉價(jià)的NAND閃存芯片相比，MRAM芯片寫數(shù)據(jù)的能耗要低得多，“MRAM在許多方面要好于NAND閃存，NAND閃存芯片在改變每個(gè)存儲(chǔ)位的狀態(tài)時(shí)需要15伏至20伏的電壓，需要的時(shí)間量級(jí)為微秒，甚至達(dá)到毫秒”。