
2025年盤點:AI驅動下的新一代存儲介質們
在ChatGPT等大模型廣泛應用的今天,企業(yè)對存儲介質和架構也有了新需求——要速度快、容量大、能耗低、壽命長、還能適應多場景需求。 傳統(tǒng)的NAND Flash、DRAM已經無法完全滿足AI、IoT、車載系統(tǒng)等對存儲的“全能”需求。加上今年新...
在ChatGPT等大模型廣泛應用的今天,企業(yè)對存儲介質和架構也有了新需求——要速度快、容量大、能耗低、壽命長、還能適應多場景需求。 傳統(tǒng)的NAND Flash、DRAM已經無法完全滿足AI、IoT、車載系統(tǒng)等對存儲的“全能”需求。加上今年新...
近期,CEO Sylvain Dubois(前谷歌員工)和CTO Sebastien Couet(前比利時微電子研究所專家)創(chuàng)立的初創(chuàng)公司Vertical Compute 宣布已成功完成 2000 萬歐元的種子輪融資。此輪融資由 imec....
NAND閃存是一種非易失性存儲技術,它不需要持續(xù)供電即可保持數據,小型化和低功耗特性使得它成為智能手機、平板電腦、數碼相機等便攜設備的理想存儲解決方案。伴隨不斷進步的制造技術帶來逐漸降低的數據存儲成本,以及相對傳統(tǒng)存儲更快的讀寫速度和更低的...
一年一度的美國閃存峰會FMS2019在硅谷圣塔克拉拉會議中心如期舉行。FMS帶來了未來非易失存儲器件的研討、企業(yè)級閃存存儲方案等行業(yè)熱門議題。峰會設置了中國專場,包括上午的技術論壇和下午的圓桌論壇。
華瀾微電子新型企業(yè)級閃存控制器將為Everspin的1 Gb STT-MRAM內存提供原生支持。
據韓國媒體報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規(guī)模生產和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器,能夠應用于通用微控制器(MCU)、物聯(lián)網、工業(yè)、消費類電子...
和RAM一樣快的永久存儲被廣泛認為會使服務器和存儲行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期,而這個改變如今隨著美國公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)樣品更近了一步。 Everspin 稱該產品為轉矩MRAM(ST-M...
飛思卡爾將MRAM 技術商業(yè)化 MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性,它的壽命幾乎是沒有限制的 。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內存和其他要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應用。 作為首家將...
(Magnetic Random Access Memory)是一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器,所謂“非揮發(fā)性”是指關掉電源后,仍可以保持記憶完整,功能與FLASH雷同;而 “隨機存取”是指中央處理器讀取...