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IBM公司10月2日宣布了一項(xiàng)創(chuàng)新突破，其涉及到用鉬元素材料來制作納米通道兩端的接觸點(diǎn)，然后直接將這些接觸點(diǎn)連至晶體管線的側(cè)面。通過這種方法，晶體管尺度的縮小就不會增加接觸電阻。
 

 

IBM研究人員表示，他們已經(jīng)成功地用這種方法制作出了9nm的晶體管，并且預(yù)計(jì)該技術(shù)可用于1.8nm的節(jié)點(diǎn)。

 

在一篇博客文章中，研究員Shu-Jen Han概述了碳納米晶體管的下一個(gè)挑戰(zhàn)：該公司現(xiàn)有一種用于定位納米管的解決方案，但還必須找到一種方法來消除上面的金屬（不適用于打造晶體管的部分約為33%）。

 

眼下，Han說他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出了一種自組裝碳納米管、并在晶圓上面定位它們的方法。他預(yù)計(jì)未來的挑戰(zhàn)是提升納米管的密度，以便將整個(gè)晶圓的制程縮減到10nm甚至更小的間距。

背景資料：

納米管比人的頭發(fā)絲還要細(xì)1萬倍，而它的硬度要比鋼材堅(jiān)硬100倍。它可以耐受6500°F（3593℃）的高溫，并且具有卓越的導(dǎo)熱性能。納米管既可以用作金屬導(dǎo)電體，比金的導(dǎo)電性高得多，也可以用作制造電腦芯片所必須的半導(dǎo)體。納米管在極低的溫度下還具有超導(dǎo)性。