MRAM是在 80年代初首次提出的。在 1994年，美國 Honeywe ll公司研發(fā)了一種使用巨磁阻（Giant Magneto Resistive， GMR）薄膜技術(shù)的 MRAM，并投入了生產(chǎn)。不過，由于它的讀取寫入時間過長并且集成度低，所以應(yīng)用只局限于太空和軍事領(lǐng)域。近年來， MRAM再度發(fā)展起來，并以取代 DRAM裝置為目標(biāo)。

    與現(xiàn)有的快閃內(nèi)存（FLASH）、靜態(tài)隨機存取內(nèi)存（SRAM）、動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）相比， MRAM性能都是非常優(yōu)秀的。

    根據(jù)美國專業(yè)半導(dǎo)體研究機構(gòu) EDN分析，如將 MRAM與 DRAM、 SRAM、 FLASH等內(nèi)存做比較，在“非揮發(fā)性”特色上，目前僅有 MRAM及 FLASH具此功能；而在“隨機存取”功能上，則 FLASH欠缺此項功能，僅 MRAM、DRAM、SRAM具備隨機存取優(yōu)點。

    就“讀取速度”而言， MRAM及 SRAM的速度最快，同為 25～100n s，不過， MRAM仍比 SRAM快； DRAM則為 50～100n s，屬于中級速度；相較之下， FLASH的速度最慢。

    在寫入次數(shù)上， MRAM、 DRAM以及 SRAM則都屬同一等級，約可寫入無限次的記憶，而 FLASH則只約可寫入106次。至于“芯片面積”的比較， MRAM與 FLASH同屬小規(guī)格的芯片，所占空間最??； DRAM的芯片面積則是屬于中等規(guī)格，SRAM更是屬于大面積規(guī)格的芯片，其所占的空間最大。

    在嵌入式設(shè)計規(guī)格方面，DRAM、SRAM、FLASH同屬良率低、須增加芯片面積設(shè)計規(guī)格；而 MRAM則是擁有性能高、不須增加芯片面積的特殊設(shè)計。

    最后在耗電量相比較，只有MRAM以及 SRAM擁有低耗電的優(yōu)點， FLASH則是屬于中級的耗電需求，至于 DRAM更是具有高耗電量的缺點。

多易