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標簽:3D-NAND 第5頁

武漢新芯陳少民:3D NAND是中國半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機遇-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

武漢新芯陳少民:3D NAND是中國半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機遇

6月30日,中國閃存峰會在北京舉行 。 武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務長陳少民先生在參與“大存儲產(chǎn)業(yè)和中國力量”對話中表示,武漢新芯選擇3D NAND,是中國半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機遇。 武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務長陳少民先生。 陳少民先生指出,大存...

謝 世誠謝 世誠業(yè)界動態(tài)
美光推出新款基于3D NAND的1100 & 2100 SSD-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

美光推出新款基于3D NAND的1100 & 2100 SSD

美光今年初宣布其SSD開始采用3D NAND技術,本周二在臺北國際電腦展上終于推出了兩款基于3D NAND的產(chǎn)品——美光1100 SATA SSD和2100 PCIe NVMe SSD(目前仍處測試期),前者預計7月中旬發(fā)售,后者則計劃夏末...

崔 歡歡崔 歡歡業(yè)界動態(tài)
如何制作3D NAND(下)-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

如何制作3D NAND(下)

新光刻技術:交替堆疊沉積 總之,3D NAND和現(xiàn)有平面NAND表現(xiàn)出了極大背離。在2D NAND中,它的制程是依賴于高級光刻技術。雖然3D NAND制程中采用了后緣40納米到20納米的設計規(guī)格。光刻技術仍在使用,但它不再是最關鍵的環(huán)節(jié)。因...

崔 歡歡崔 歡歡智能算力
如何制作3D NAND?(上)-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

如何制作3D NAND?(上)

2013年,三星發(fā)售全球首款3D NAND設備,在IC(集成電路)業(yè)界達到了一個里程碑?,F(xiàn)在,經(jīng)過一些延遲與不確定性后,英特爾,美光,海力士,閃迪/東芝二人組對3D NAND最終加大產(chǎn)能或進行取樣。 相對現(xiàn)有平面或2D NAND,3D NA...

崔 歡歡崔 歡歡智能算力