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標簽:3D-NAND 第5頁

如何制作3D NAND(下)-DOIT-數據產業(yè)媒體與服務平臺

如何制作3D NAND(下)

新光刻技術:交替堆疊沉積 總之,3D NAND和現有平面NAND表現出了極大背離。在2D NAND中,它的制程是依賴于高級光刻技術。雖然3D NAND制程中采用了后緣40納米到20納米的設計規(guī)格。光刻技術仍在使用,但它不再是最關鍵的環(huán)節(jié)。因...

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如何制作3D NAND?(上)-DOIT-數據產業(yè)媒體與服務平臺

如何制作3D NAND?(上)

2013年,三星發(fā)售全球首款3D NAND設備,在IC(集成電路)業(yè)界達到了一個里程碑?,F在,經過一些延遲與不確定性后,英特爾,美光,海力士,閃迪/東芝二人組對3D NAND最終加大產能或進行取樣。 相對現有平面或2D NAND,3D NA...

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