HMC芯片使用垂直管道(或者說穿孔)將多個(gè)獨(dú)立芯片堆疊封裝在一起，產(chǎn)品原型的帶寬就已高達(dá)128GB/s，最終成品還會(huì)更高，而目前普通內(nèi)存最高也不過12.8GB/s。與此同時(shí)，HMC能夠?qū)⑿酒姆庋b尺寸減小最多90%，同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)消耗的能量也減少70%。

IBM新開發(fā)的3-D TSV制造工藝正好就是用來連接3D微架構(gòu)的，將成為HMC內(nèi)存投入商業(yè)性量產(chǎn)的基礎(chǔ)。

IBM會(huì)在紐約州東菲什基爾(East Fishkill)的工廠，采用32nm HKMG工藝制造美光HMC內(nèi)存芯片，而有關(guān)其TSV技術(shù)的更多細(xì)節(jié)將在近日的IEEE國際電子設(shè)備會(huì)議上公布。

HMC內(nèi)存初期面向大規(guī)模網(wǎng)絡(luò)、高性能計(jì)算、工業(yè)自動(dòng)化等專業(yè)領(lǐng)域，但最終會(huì)爭(zhēng)取進(jìn)入消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。

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