例如，該白皮書寫道：

“在我們的第一代X3中，我們達到了8MB/秒的寫入性能。19納米制程讓我們的性能提升許多。流程和單元結構上的改變，比如Air Gap(空氣間隙)，可以彌補一些損耗，但是這還不夠。在這個設計中，我們采用了16KB頁面大小并將性能提高一倍;采用溫度補償機制來實現10%的性能提升;使用一個增強的3步驟編碼來將FG(浮動門)-FG耦合降低95%。這些設計特點和流程/結構上的變化讓我們在19納米技術節(jié)點上可以達到18MB/秒的速度。”

該芯片已經量產。SanDisk表示使用該芯片的產品已經在2011年底開始發(fā)售——盡管它沒有說是什么產品。兼容MicroSD的64Gb版本的芯片已經開發(fā)出來并已經開始準備生產。

該公司表示它的128Gb TLC芯片在一些應用上有足夠的性能來代替2比特MLC芯片，并清楚地暗示是在智能手機、平板電腦和SSD(固態(tài)驅動器)領域。

這款芯片的成本經濟性也是一個大家關心的問題。一款128GB容量的SSD如果采用128Gb TLC芯片的話就會比使用2比特芯片的SSD明顯便宜許多，因為使用TLC芯片就不用那么多個芯片了。

不過比起MLC，TLC的耐用性，也就是寫入周期，要差很多，差不多要低五倍以上。SanDisk沒有披露它的耐用性。這是一個不好的信號。我們可以想象在3比特產品上要進行許多過量配置，因此相比2比特產品的成本優(yōu)勢會被抵消許多。

在SanDisk和東芝披露使用它們的TLC芯片的實際產品之前，我們不知道耐用性統(tǒng)計數據，也不知道要通過多少過量配置——盡管會損失成本優(yōu)勢——來達到可接受的耐用性水平，也不知道會用什么樣的更好的控制器技術來在TLC單元接近工作壽命之前將可用數據提取出來。

被蘋果收購的控制器公司Anobit表示它的單處理技術可以讓TLC閃存的工作壽命和MLC閃存一樣。如果控制器技術和過量配置可以為TLC NAND SSD以及其它閃存驅動器格式(比如PCIe卡)提供可接受和可承受的耐用性，那么未來6到8個月內隨著TLC產品的上市，我們將看到閃存產品的容量將有一個大的提升。

SanDisk和東芝在2月22日舊金山舉行的國際固態(tài)電路大會(ISSCC)上暢談它們的小型NAND芯片技術。在此之前，OCZ已經在CES 2012(國際消費者電子展)上展示了一款TLC驅動器。英特爾和美光也有TLC技術，很有可能將在今年晚些時候推出20納米制程的TLC芯片。三星也一樣。閃存市場將在未來幾個月內出現許多TLC產品。

wangzhen