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“非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術(shù)，越來越受到世界各國高度重視。在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國際先進水平。

與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點。隨著技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型。

中國科學院上海微系統(tǒng)所、中芯國際、micro―chip是產(chǎn)學研結(jié)合的團隊，一直致力于研究我國自主的相變存儲芯片和存儲產(chǎn)品。

據(jù)中科院上海微系統(tǒng)所宋志棠研究員介紹，由上海微系統(tǒng)所、中芯國際和micro－chip組成的聯(lián)合研究團隊在相變存儲器芯片的工程化研究方面已經(jīng) 取得突破性進展，研制出8Mb測試芯片，并實現(xiàn)全部存儲功能，8英寸整片Bit優(yōu)良率超過99%，開發(fā)出自主IP的雙溝道隔離二極管陣列，成功實現(xiàn)了工藝 集成和相關(guān)功能的演示，并建立了8英寸整片測試系統(tǒng)。

在此基礎(chǔ)上，上海微系統(tǒng)所與中芯國際建立了12英寸專用PCRAM平臺。12英寸40納米相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)也取得了重要進展，完成了第一版芯片的設(shè)計，并進入關(guān)鍵的工藝開發(fā)；初步完成了尺寸為60―70納米的相變材料填充和拋光、刻蝕等單項工藝開發(fā)。

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