與前一代相比，IBM eXFlash解決方案的新功能包括：

熱插拔能力;

每個eXFlash單元的IOPS(每秒輸入輸出)性能提升6倍至24萬次IOPS;

每個eXFlash單元的存儲容量提升4倍至1.6TB;

隨著SSD(固態(tài)驅(qū)動器)技術(shù)的發(fā)展和該技術(shù)被業(yè)內(nèi)的采納，你可以預(yù)計IBM eXFlash在IOPS和吞吐性能以及容量上的進(jìn)一步提升。

Redbook本身還提供了許多其他有關(guān)eXFlash的信息。

Redbook表示：“目前，處理器、記憶體和I/O子系統(tǒng)都得到了很好的平衡，實(shí)際上在大部分系統(tǒng)中都不會成為性能瓶頸。性能問題的主要源頭與存儲I/O活動相關(guān)，因?yàn)閭鹘y(tǒng)基于HDD(硬盤驅(qū)動器)的存儲系統(tǒng)仍然跟不上這些服務(wù)器的處理能力。”

它進(jìn)一步表示：“盡管磁盤磁片的轉(zhuǎn)速在提升，存儲密度在提高，但是HDD的響應(yīng)時間仍然有幾毫秒，限制了它的最大IOPS。例如，一個1.5萬轉(zhuǎn)2.5英寸SAS HDD只能進(jìn)行大約300次IOPS?！?/p>

“基于SSD的eXFlash的延遲時間只有幾十微妙(比硬盤驅(qū)動器要強(qiáng)幾乎100倍)，從而使IOPS性能可以達(dá)到24萬次。更高的IOPS能力意味著對幾乎所有類型的存儲I/O密集型應(yīng)用程序都可以提供更高的隊列深度和更好的響應(yīng)時間?！?/p>

“換句話說，如果應(yīng)用程序是多用戶、重負(fù)荷的，經(jīng)常用隨機(jī)小型I/O訪問存儲，那么這個應(yīng)用程序就可以考慮將IBM eXFlash或外部基于SSD的存儲系統(tǒng)應(yīng)用于整個數(shù)據(jù)集(或部分)。”

eXFlash設(shè)備是一個針對服務(wù)器的內(nèi)部存儲設(shè)備，使用至多8個連接到1或2個控制器的熱插拔SSD，同時這些控制器可以提供RAID(獨(dú)立磁盤冗余陣列)功能。每個eXFlash單元要占用4個2.5英寸驅(qū)動器灣。

在eXFlash設(shè)備內(nèi)部有前置可訪問的1.8英寸SSD，同時該設(shè)備提供高達(dá)1.6TB的容量，使用200GB容量的eMLC SSD，提供高達(dá)24萬次隨機(jī)讀取IOPS性能以及高達(dá)2GB/秒的持續(xù)讀取吞吐率。

IBM表示：“eXFlash針對隨機(jī)讀取和寫入操作的組合進(jìn)行了優(yōu)化，比如事務(wù)處理、數(shù)據(jù)挖掘、商業(yè)情報和決策支持，以及其他隨機(jī)I/O密集型應(yīng)用程序。”

更多信息，請參閱Redbook?？偠灾骸癐BM有一個相當(dāng)于VFCache的產(chǎn)品而且已經(jīng)發(fā)布超過一年了”。

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