一位惠普高級官員在塞維利亞舉辦的2011國際電子論壇（InternatiONal Electronics Forum）上表示，惠普將在未來18個月內(nèi)推出一種全新的非易失性內(nèi)存芯片以取代NAND閃存和SSD產(chǎn)品。

該官員名叫Stan Williams，在對媒體采訪時說“我們計劃在未來1年半的時間內(nèi)，推出一種可取代目前市場上閃存芯片的產(chǎn)品（Memristor）。我們還計劃將其打造成為可取代SSD的存儲解決方案。”

閃存已經(jīng)基本定型，“現(xiàn)在我們在DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器上不斷拓展，而且我們有信心在每比特能量轉(zhuǎn)換方面獲得2個數(shù)量級的改善。”“在實(shí)驗室我們已經(jīng)對晶圓實(shí)現(xiàn)了數(shù)百次的運(yùn)行測試，”他補(bǔ)充說道。

惠普曾于去年與韓國芯片制造商Hynix建立了合作關(guān)系，共同生產(chǎn)下一代非易失性內(nèi)存產(chǎn)品。

Memristor或稱憶阻器技術(shù)，它與電阻器、電容和電感器一樣也是一個基本的電路元件。在設(shè)備開啟和關(guān)閉之間，憶阻器的電子狀態(tài)保持不變——就像閃存記憶體一樣。這一點(diǎn)它可以和相變記憶體（PCM）競爭。一旦NAND閃存的制程縮小空間耗盡，NAND將無法可靠工作，面臨發(fā)展瓶頸問題。為此，這時候需要有新的技術(shù)加入進(jìn)來。

憶阻器可以記憶流經(jīng)它的電荷數(shù)量，在某種程度上說，憶阻器在任一時刻的電阻是時間的函數(shù)，被稱為是電阻電容和電感之外的第四個基本元件。

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