Mozaic 3+（魔彩盒3+）宣告了一個(gè)新的開(kāi)始，未來(lái)，希捷還將推出Mozaic 4+甚至Mozaic 5+。未來(lái)幾年，單盤容量突破40TB和50TB很快就會(huì)從想象走向現(xiàn)實(shí)。

Mozaic 3+（魔彩盒3+）的產(chǎn)品叫希捷銀河Exos 30TB Mozaic 3+（魔彩盒3+），有三個(gè)版本，最小是24TB的傳統(tǒng)硬盤，這是8盤片的版本（3TB X 8），另外一個(gè)就是30TB的版本，也就是10個(gè)3TB版本的。此外，配合SMR技術(shù)能達(dá)到32TB。

Mozaic 3+（魔彩盒3+）帶來(lái)的30TB突破，讓希捷大幅領(lǐng)先于西部數(shù)據(jù)。目前，西數(shù)最大的傳統(tǒng)硬盤為24TB，SMR盤的容量最高為28TB。

據(jù)了解，Mozaic 3+（魔彩盒3+）技術(shù)經(jīng)過(guò)多年開(kāi)發(fā)，隨著可靠性、產(chǎn)量和制造成本上的逐步優(yōu)化成熟?，F(xiàn)在，已經(jīng)啟動(dòng)了大規(guī)模量產(chǎn)。

從希捷科技中國(guó)區(qū)產(chǎn)品線管理總監(jiān)劉嘉的介紹中了解到，一些大型互聯(lián)網(wǎng)公司在測(cè)試30TB大容量硬盤后，已表示將大批量采購(gòu)大容量硬盤，預(yù)計(jì)本季度將開(kāi)始向超大規(guī)模云客戶批量發(fā)貨。

目前，大規(guī)模數(shù)據(jù)中心采用的硬盤單盤平均容量為16TB。從16TB的垂直磁記錄（PMR）硬盤升級(jí)到希捷銀河Exos 30TB Mozaic 3+（魔彩盒3+）技術(shù)平臺(tái)，相同空間下，容量翻倍。

Mozaic 3+（魔彩盒3+）使用與PMR硬盤基本相同的材料組件，同時(shí)大幅增加容量，使數(shù)據(jù)中心能夠顯著降低存儲(chǔ)采購(gòu)和運(yùn)營(yíng)成本，每TB功耗降低40%。

Exos X16的平均功耗為9.44W，相當(dāng)于每TB 0.59W。新的Exos 30TB的相應(yīng)數(shù)值略高，為10.5W，但每TB約為0.35瓦，這相當(dāng)于每TB基礎(chǔ)上節(jié)省40%的電力。

Mozaic 3+（魔彩盒3+）還可以幫助客戶實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，相較于傳統(tǒng)的16TB PMR的硬盤，新一代產(chǎn)品每TB減少了55%的碳排放。

30TB Mozaic 3+（魔彩盒3+）的可靠性沒(méi)有任何變化，擁有250 萬(wàn)小時(shí)的 MTBF 評(píng)級(jí)，并提供 5 年有限質(zhì)保，在長(zhǎng)期可靠性方面不用多加考慮。

目前， Mozaic 3+（魔彩盒3+）采用的接口還是6Gbps的SATA為主。外媒報(bào)道中提到，希捷發(fā)言人表示，他們最高容量硬盤產(chǎn)品中有超過(guò)90%是使用這一接口的。他們計(jì)劃在2025年的Mozaic 4+上使用12Gbps SAS接口。

更高性能的接口有助于解決單位容量性能變低的問(wèn)題，其實(shí)，希捷在過(guò)去幾年也已經(jīng)推出了雙磁臂硬盤，這也可以用來(lái)解決單位容量性能不足的問(wèn)題。但這次顯然是以提升容量為主，單位容量性能略有下降，但也在常見(jiàn)的近線硬盤的合理范圍內(nèi)。

30TB Mozaic 3+（魔彩盒3+）的突破來(lái)自若干個(gè)新技術(shù)加成的結(jié)果。

首先，它使用了超晶格鐵鉑合金材料，它能讓數(shù)據(jù)寫入更加精確，并實(shí)現(xiàn)了更高的位穩(wěn)定性，讓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的更可靠。

高密度記錄的物理學(xué)原理要求在納米級(jí)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)更小介質(zhì)的顆粒尺寸，但顆粒越小，穩(wěn)定性越差，傳統(tǒng)合金無(wú)法提供足夠的磁性穩(wěn)定性。而超晶格鐵鉑合金具有更小的晶粒尺寸，并且在室溫水平下具有高磁矯頑力，對(duì)磁極方向變化的抵抗力更強(qiáng)。

配合超晶格鉑合金使用的是新的等離子寫入器。這項(xiàng)技術(shù)的背后是納米光子激光器，它在介質(zhì)表面產(chǎn)生一個(gè)微小的熱點(diǎn)，以便可靠地寫入數(shù)據(jù)。希捷將納米光子激光器垂直集成到了等離子寫入器子系統(tǒng)中。

具體細(xì)節(jié)方面，納米光子激光器發(fā)出830納米光子脈沖，通過(guò)一個(gè)光子隧道到達(dá)量子天線，它將光子聚焦在一個(gè)35納米的點(diǎn)上，在很短的時(shí)間內(nèi)就將該點(diǎn)加熱到超過(guò)400°C。

這里的重點(diǎn)是，普通的光學(xué)設(shè)備可以將激光脈沖聚焦到大約200納米大小，但通過(guò)等離子體效應(yīng)，可以產(chǎn)生比普通光學(xué)設(shè)備的衍射極限還要小的點(diǎn)。這種非常精確且非常小的能量點(diǎn)，使得數(shù)據(jù)能精確地寫入，從而提高存儲(chǔ)密度。

數(shù)據(jù)寫入后，剛才的熱點(diǎn)會(huì)冷卻，其磁極方向會(huì)非常穩(wěn)定。整個(gè)加熱和冷卻的周期大約為一納秒，這使得HAMR技術(shù)能夠在極高速度下精準(zhǔn)地進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入。

以上都是寫入的部分，與之配合的是，用于讀取數(shù)據(jù)位時(shí)，需要希捷第七代自旋電子讀取器，希捷在其中采用了量子技術(shù)，該讀取器是世界上最小、最靈敏的磁場(chǎng)讀取傳感器之一。

最后，為了高效地協(xié)調(diào)所有這些技術(shù)，希捷使用了12nm的集成控制器，這是一款完全由內(nèi)部開(kāi)發(fā)的片上系統(tǒng)。相較于之前的解決方案，這種專用集成電路實(shí)現(xiàn)了高達(dá)3倍的性能提升。

大數(shù)據(jù)量正在為數(shù)據(jù)中心帶來(lái)更多挑戰(zhàn)。IDC預(yù)測(cè), 2027年將產(chǎn)生291ZB數(shù)據(jù)。而且，生成式AI的興起也將產(chǎn)生更多數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)中心在建設(shè)成本、空間和電力方面的挑戰(zhàn)，促使客戶轉(zhuǎn)向數(shù)量更少但容量更大的硬盤，希捷的Mozaic 3+（魔彩盒3+）可謂是正逢其時(shí)。

Mozaic 3+（魔彩盒3+）不僅帶來(lái)的單盤大容量，還帶來(lái)了更高的面密度增速和高容量增速，未來(lái)幾年大概會(huì)以20%的增速快速增長(zhǎng)，其增速能更好地滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，幫助企業(yè)，特別是超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心應(yīng)對(duì)大數(shù)據(jù)量帶來(lái)的種種挑戰(zhàn)。

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