Westmere-EP芯片結構

具體而言,45納米向32納米的進步,使得Westmere-EP能增加兩個處理核心并且每個核心的三級緩存也增長了50%達到12MB之多。英特爾架構事業(yè)部資深高級工程師Nasser Kurd確認Westmere-EP將支持Turbo Boost特性(智能加速技術),即在芯片其他芯片元素靜默狀態(tài)下小幅提高處理器核心的主頻。

總體而言,Westmere-EP的主頻和熱封裝范圍同現(xiàn)有的至強5500一樣,此外在處理器插槽、主板芯片組和DDR3內存的支持方面也同至強5500一樣,每個插槽都有著三個內存通道。

六核Westmere-EP處理器有著11.7億個晶體管,芯片面積為為240平方毫米。正如上圖所示,六個處理核心被一分為二,每組三個核心。處理核心區(qū)域有著專門的時鐘頻率和電源供給,三級緩存和內存控制器在優(yōu)化設計之后歸為"uncore"(非核心)區(qū)域,有著獨立的功率門限(power gating)。在Nehalem家族芯片中,英特爾為每個核心的晶體管引入了功率門限,當核心處于閑置狀態(tài)時就會被自動關閉。核心狀態(tài)存儲于芯片緩存中,但是非核心區(qū)域依舊保持全功率運行。但是在Westmere家族中,非核心區(qū)域也引入了功率門限,由此可以看出Westmere更加綠色節(jié)能。

Westmere-EP芯片保持了英特爾HyperThreading同步多線程特性,每一個核心都有著兩個虛擬線程,此外Westmere還具備新的加密指令集在加密解密數(shù)據(jù)之時實現(xiàn)AES算法。另外一個新特性在于其嵌入式的內存控制器能夠支持低壓的DDR3內存,這樣在無需損失性能的前提下能夠減少20%的熱量。

在英特爾發(fā)布的另一份有關系統(tǒng)的文檔中還揭示了在下周舉行的國際固態(tài)電路會議上展示類似于QuickPath的高速互聯(lián)技術,據(jù)了解這種高速互聯(lián)技術還未命名,芯片間數(shù)據(jù)傳輸效能會是目前產(chǎn)品的10倍。在QPI架構中芯片間傳輸1TB數(shù)據(jù)需要150瓦特能耗,而這種新高速互聯(lián)架構只需要11瓦特。在靜默狀態(tài)下,新高速互聯(lián)架構的能耗只有滿載的7%,此外恢復工作狀態(tài)的時間要比QPI快1000倍。

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zhabin

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