2022年閃存資本支出
299億美元的支出占2022年整體IC行業(yè)資本預(yù)測支出1904億美元的16%，僅次于晶圓代工廠部分，預(yù)計后者今年將占行業(yè)資本支出的41%。
近期新升級的NAND閃存工廠包括三星的Pyeongtaek 1、2生產(chǎn)線（也用于DRAM和代工）；三星在中國西安的二期投資；鎧俠在日本巖手的Fab 6和 Fab K1晶圓廠；美光在新加坡的第三家閃存廠。此外，SK海力士為其M15工廠的剩余空間配備了NAND閃存。
在預(yù)測期內(nèi)，隨著NAND閃存供應(yīng)商準(zhǔn)備從2022年底到2023年進入200層以上閃存芯片的產(chǎn)能競爭，將需要新的晶圓廠和設(shè)備。三星和美光可能是首家今年晚些時候就開始量產(chǎn)200層NAND的公司。兩家公司及SK海力士目前都在量產(chǎn)176層 NAND。三星位于中國西安的晶圓廠是（或?qū)⒊蔀椋╊I(lǐng)先NAND的關(guān)鍵制造基地，擁有2家晶圓廠，每家晶圓廠全面投產(chǎn)后每月可生產(chǎn) 120,000 片晶圓。隨著對企業(yè)存儲應(yīng)用的日益關(guān)注，SK hynix 預(yù)計將在2023年遷移到196層。
