提問：HBM 相比DRAM在帶寬上的優(yōu)勢(shì)

回答：HBM 在總線帶寬和處理速度上優(yōu)勢(shì)最為明顯。從第一代以來(lái)，HBM標(biāo)準(zhǔn)支持1024比特位總線帶寬，GDDR僅支持32位，標(biāo)準(zhǔn)HBM2E信號(hào)速率為3.6 Gb (Gb/sec/pin)，每個(gè)堆棧的帶寬最高可達(dá)每秒460 GB。在HBM3開發(fā)階段，期望實(shí)現(xiàn)高達(dá)6.4Gb/sec 的快速處理速度——遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出許多預(yù)期。

與容量情況不同，三星的 HBM2E Flashbolt 設(shè)備實(shí)際帶寬已經(jīng)超出了標(biāo)準(zhǔn)。相比之下，GDDR第六代DRAM標(biāo)準(zhǔn)指定數(shù)據(jù)速率為16Gb/秒。對(duì)于一個(gè)有4096比特位內(nèi)存接口的處理器，如 GPU和FPGA，八個(gè) Flashbolt 堆棧組合可以提供128GB的??內(nèi)存和3.68TB/秒的峰值帶寬——遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)的DRAM。

提問：HBM會(huì)支持哪些CPU？至強(qiáng)？AMD？ARM？RISC-V？

回答：三星正在與各類CPU開發(fā)人員合作。對(duì)于ARM，富士通正在供應(yīng)，至強(qiáng)/RISC-V目前正在開發(fā)中。

最后

三星在DDR5和DDR6內(nèi)存方面非常活躍，還大力開發(fā)其HBM和HBM-PIM 堆疊存儲(chǔ)技術(shù)產(chǎn)品，并且正在考慮支持X86、Arm 和RISC-V處理器。HBM-Arm和HBM-RISC-V將與至強(qiáng)-HBM系統(tǒng)形成有趣的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，尤其在具有低延遲、數(shù)據(jù)密集型處理需求的邊緣環(huán)境里。

崔歡歡